獨得蘋果A10訂單的臺積電正歡呼雀躍的時候，有一個巴掌重重地打了過來：此前宣布的10nmFinFET工藝，居然只相等于英特爾的十二納米；那么，事實到底是怎么樣的呢？

前不久的股東大會上，臺積電CEO劉德音被美國分析師Brett Simpson（布雷特·辛普森）的一個問題難住了：Brett Simpson竟然問臺積電7nmFinFET工藝比起英特爾即將量產(chǎn)的10nm工藝，在性能特征上的差距。

“你得去問我們的顧客，我無法為他們回答。”顯然，劉德音有點尷尬。如果是幾年前，這并不是問題。根據(jù)摩爾定律，7nm工藝比10nm工藝制出的電晶體縮小一半，效能、耗電等各項指標都大幅度超越；可以說，7nm工藝比10nm工藝領(lǐng)先一個世代。

而這位分析師的問題，是首次超越了半導(dǎo)體業(yè)界遵循30年的摩爾定律范疇，被稱為困擾業(yè)界多年的半導(dǎo)體工藝“魔術(shù)數(shù)字”問題。業(yè)內(nèi)人士認為，Brett Simpson在暗示，臺積電還未量產(chǎn)的7nm和英特爾10nm工藝，屬于同一世代的技術(shù)，也就是說，臺積電10nm相當于英特爾12nm。

對于Brett Simpson的說法，不少臺積電的客戶都表示認同。臺積電大客戶、世界最大IC設(shè)計公司高通首席技術(shù)官Matt Grob (葛羅布)指出，獨吃A10處理器的16納米工藝，是目前臺積電量產(chǎn)的最尖端工藝，僅相當于英特爾的20納米工藝。

Matt Grob (葛羅布)表示，半導(dǎo)體行業(yè)中，晶圓代工廠商的工藝數(shù)字都經(jīng)過不同程度的“美化”，包括臺積電、三星以及格羅方德，他們的工藝數(shù)字都經(jīng)過不同程度的“優(yōu)化”。 結(jié)果是讓業(yè)界“非常困擾（芯易網(wǎng)注）。

“即使是高通內(nèi)部的會議簡報，都不能直接套用晶圓代工廠公告的技術(shù)數(shù)字，而必須經(jīng)過換算。我們要問清楚，這個硅晶圓上到底可以放多少個邏輯電路？”Matt Grob稱。

一位資深業(yè)者透露，聯(lián)發(fā)科內(nèi)部存在一套關(guān)于制程工藝的換算方式，從這個方式來看：臺積電的16nm和英特爾的20nm相等，10nm和英特爾的12nm相仿。同理，未來臺積電的7nm，可能會比英特爾要好一些。

臺積電早期采用的16nm FinFET工藝，原計劃是跟英特爾一樣成為20nm FinFET。因為其16nm工藝的電晶體最小線寬(half-pitch)，與前一代量產(chǎn)的20nm 電晶體工藝差不多，只不過是換上全新的FinFET電晶體。

可以說，整個半導(dǎo)體行業(yè)的晶圓代工廠基本是跟著因特爾的腳步。引發(fā)現(xiàn)在這種一個工藝，各自表述“混亂”場面的始作俑者是三星，時間是在之前的2、3年前，當時整個產(chǎn)業(yè)導(dǎo)入全新的鰭式場效應(yīng)晶體管（FinFET）。

一位前臺積高階主管透露，同樣的（20nm）工藝，三星已搶先命名為“14納米”，如果臺積電還用20nm命名，肯定很吃虧。“我們至少有點良心，不敢像三星那樣隨便命名”這位前臺積高層無奈稱。

命名習(xí)慣被打亂之后，讓外行人很難搞懂，英特爾、臺積電、三星這半導(dǎo)體三雄的技術(shù)，哪個更先進一點？例如，英特爾原先預(yù)計在第三季度發(fā)布的10納米工藝處理器，卻在不久前宣布延后至明年。因此，量產(chǎn)時間也將落后于臺積電量產(chǎn)的“10nm”工藝。

當臺積電發(fā)布10nm FinFET工藝時，業(yè)內(nèi)人士大都明白，彼“10nm”不等于此“10nm”，目前，臺積電在技術(shù)上仍落后英特爾（至少）一個技術(shù)世代。不過，臺積電正在縮小和英特爾的技術(shù)差距，“我們認為這些差距正在縮小，而且還會持續(xù)縮小。”高通首席營運官戴瑞克說道。