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AT91SAM9261 CompactFlash 支持
CompactFlash 支持
外部總線接口集成了連接CompactFlash 設(shè)備的電路。
CompactFlash 邏輯被NCS4 和/或NCS5 地址空間上的靜態(tài)存儲控制器（SMC）驅(qū)動。編程EBI_CSA 寄存器上的CS4A 和/或CS5A 位到適當(dāng)?shù)闹凳鼓艽诉壿嫛４思拇嫫鞯募?xì)節(jié)，請參考總線矩陣用戶接口章節(jié)。訪問一個(gè)外部CompactFlash 設(shè)備通過訪問保留到NCS4 和/或NCS5 的地址空間（就是說，對NCS4在0x5000 0000和0x5FFF FFFF之間，對NCS5在0x6000 0000和0x6FFF FFFF 之間）完成。
所有的CompactFlash 模式(Attribute Memory, Common Memory, I/O andTrue IDE)是被支持的，但是信號_IOIS16 (I/O 和True IDE 模式) 和 _ATASEL (True IDE 模式)不被處理。
1.1
I/O模式，Common Memory 模式，Attribute Memory 模式和True IDE 模式在NCS4 和/或NCS5 地址空間，當(dāng)前傳輸?shù)刂穮^(qū)別I/O 模式，Common Memory 模式，Attribute Memory 模式和True IDE 模式。不同模式通過一個(gè)如圖20-3 所說明的特殊存儲映射被訪問。傳輸?shù)刂返腁[23:21]位被用于選擇需要的模式，如表20-5 描述。
圖20-3 CompactFlash 存儲映射
注意：EBI 的A22 引腳被用于驅(qū)動CompactFlash 設(shè)備（除了在True IDE 模式）的REG 信號。
表20-5 CompactFlash 模式選項(xiàng)
A[23:21] 模式基本地址
000 Attribute Memory
010 Common Memory
100 I/O 模式
110 True IDE 模式
111 交替True IDE 模式
1.2 CFCE1 和 CFCE2 信號
為了覆蓋所有訪問類型，SMC 必須交替的置位去驅(qū)動8 位數(shù)據(jù)總線或16 位數(shù)據(jù)總線。D[7:0]總線上的奇字節(jié)訪問僅當(dāng)SMC 被配置用來驅(qū)動對應(yīng)的NCS 引腳（NCS4 和 或NCS5）上的8 位存儲器。NCS4 和/或NCS5 地址空間的片選寄存器(對應(yīng)片選模式中的的DBW 域)必須置位，如表20-6 所示，去使能需要的訪問類型。
NBS1 和 NBS0 是SMC 的字節(jié)選擇信號并當(dāng)SMC 在對應(yīng)片選設(shè)置為字節(jié)選擇模式時(shí)可用。
CFCE1 和CFCE2 波形與相應(yīng)的NCSx 波形相同。
表20-6 CFCE1 和 CFCE2 真值表
模式 CFCE2 CFCE1 DBW 備注 SMC訪問模式
Attribute Memory NBS1 NBS0 16 位 訪問D[7:0]偶字節(jié) 字節(jié)選擇
Common Memory NBS1 NBS0 16 位 訪問D[7:0]偶字節(jié) 字節(jié)選擇
訪問D[15:8]奇字節(jié)
1 0 8 位 訪問D[7:0]奇字節(jié) 無關(guān)緊要
I/O 模式 NBS1 NBS0 16 位 訪問D[7:0]偶字節(jié) 字節(jié)選擇
訪問D[15:8]奇字節(jié)
1 0 8 位 訪問D[7:0]奇字節(jié) 無關(guān)緊要
True IDE 模式
Task file 1 0 8 位 訪問D[7:0]偶字節(jié) 無關(guān)緊要
訪問D[7:0]奇字節(jié)
數(shù)據(jù)寄存器 1 0 16 位 訪問D[7:0]偶字節(jié) 字節(jié)選擇
訪問D[15:8]奇字節(jié)
交替True IDE 模式
控制寄存器 0 1 無關(guān) 緊要 訪問D[7:0]偶字節(jié) 無關(guān)緊要
交替狀態(tài)讀 訪問D[7:0]奇字節(jié)
驅(qū)動地址 0 1 8 位 無關(guān)緊要
True IDE Standby 模 1 1 無關(guān)緊要 無關(guān)緊要 無關(guān)緊要
式或地址空間未指定
到CF
