| 參與第3期Numonyx知識競賽，贏取Altera Cyclone III 開發(fā)板和sd卡,你還在等什么，趕緊去參加把！ http://comm.ednchina.com/Company/Numonyx/Question.aspx 挑戰(zhàn)問題三 問題1 隨著如今的高容量存儲器技術(shù)邁向下一代具有挑戰(zhàn)性的30nm大關(guān)，人們認(rèn)為相變存儲器的理論極限尺度是？ 20 nm 15 nm 10 nm 5 nm 問題2 Numonyx近期在何處發(fā)表了題為《硫族化合物相變存儲器：未來十年的存儲器技術(shù)》的文章？ 2009年IEEE國際電子器件會議（IEDM） 2010年IEEE系統(tǒng)會議 BCS統(tǒng)計與預(yù)測會議 先進(jìn)技術(shù)分會 問題3 下面哪種技術(shù)相較于另外三種生產(chǎn)技術(shù)其產(chǎn)品耐久度能夠獲得十倍以上的提升？ NAND SLC NOR PCM NAND MLC 問題4 相變存儲器單元的非結(jié)晶態(tài)和結(jié)晶態(tài)的轉(zhuǎn)變導(dǎo)致電荷流經(jīng)存儲器單元時阻力的變化是下面哪種技術(shù)的典型范例？ 電荷存儲技術(shù) 浮動?xùn)偶夹g(shù) 狀態(tài)轉(zhuǎn)換技術(shù) 衰竭離子技術(shù) 問題5 下面哪種問題的產(chǎn)生于電荷存儲單元面積的不斷縮小有關(guān)？ 可以存儲電子的單元的質(zhì)量 隨著層數(shù)的增加，MLC可靠性的降低 每bit成本繼續(xù)以傳統(tǒng)方式降低時所面臨的潛在困難 上述三個選項 |
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