国产毛片a精品毛-国产毛片黄片-国产毛片久久国产-国产毛片久久精品-青娱乐极品在线-青娱乐精品

電子工程網

標題: S70KS1283GABHB020，S70KS1283GABHI020，S27KS0642GABHV020存儲器 [打印本頁]

作者: xingjijinhua 時間: 2024-8-23 11:03
標題: S70KS1283GABHB020，S70KS1283GABHI020，S27KS0642GABHV020存儲器
明佳達，星際金華供求 S70KS1283GABHB020，S70KS1283GABHI020，S27KS0642GABHV020存儲器

S70KS1283GABHB020 200MHz 35ns PSRAM 存儲器 IC

產品描述
S70KS1283GABHB020 是高性能嵌入式系統的理想之選，該系統需要擴展內存，用于刮板或緩沖。

功能特點
相移時鐘用于在讀取數據眼內移動 RWDS 轉換邊沿
200 MHz 最大時鐘速率

集成電路芯片 35ns S70KS1283GABHI020 128Mbit SPI - 八進制 I/O 存儲器 IC

產品說明
S70KS1283GABHI020 是一款高速、低引腳數、低功耗的自刷新動態 RAM (DRAM)，適用于需要擴展存儲器用于刮板或緩沖的高性能嵌入式系統。

特性
DDR - 在時鐘的兩個邊沿上傳輸數據
數據吞吐量高達 400 MBps（3,200 Mbps）
可配置的突發特性

S27KS0642GABHV020 DRAM HyperRAM 存儲器 IC 64Mbit 24-VBGA 表面貼裝

產品描述
S27KS0642GABHV020 的 DRAM 單元不能在讀取或寫入事務期間刷新，這就要求主機限制讀取或寫入突發傳輸的長度，以便在需要時進行內部邏輯刷新操作。

特性
線性突發
封裝突發長度
混合選項 - 一個封裝突發后是線性突發

歡迎光臨電子工程網 (http://www.qingdxww.cn/)