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標(biāo)題: APM/永源微 AP30N15D TO-252 150V/30A 52mΩ N溝道增強(qiáng)型MOSFET [打印本頁(yè)]

作者: XML13250262776 時(shí)間: 2024-12-11 11:55
標(biāo)題: APM/永源微 AP30N15D TO-252 150V/30A 52mΩ N溝道增強(qiáng)型MOSFET
永源微電子，專業(yè)場(chǎng)效應(yīng)管、功率器件設(shè)計(jì)研發(fā)制造商
●AP30N15D采用先進(jìn)的溝槽技術(shù)，可提供出色的R-D（ON）、低柵極電荷和低至4.5V的柵極電壓。該裝置適用于電池保護(hù)或其他開(kāi)關(guān)應(yīng)用。
■一般特征
●V-DS=150V，I-D=30A
●V-GS=10V時(shí)，R-DS（開(kāi)啟）<52mΩ
■應(yīng)用領(lǐng)域：電池保護(hù) / 負(fù)載開(kāi)關(guān) / 不間斷電源

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永源微電子原廠授權(quán)代理芯美力科技，全系列MOS, 供應(yīng)及技術(shù)支持
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