Vishay發布應用于國防和航天的新款QPL氮化鉭薄膜片式電阻

發布時間：2012-11-1 10:10 發布者：eechina

器件具有0.1%的容差和25ppm/℃的TCR

Vishay推出通過QPL MIL-PRF-55342測試的新款表面貼裝片式電阻---E/H (Ta2N) QPL，保證可靠性達到100ppm的“M”級失效率。新的E/H (Ta2N) QPL電阻使用耐潮的氮化鉭電阻膜技術制造，為國防和航天應用提供了增強的性能規格，包括0.1%的容差和25ppm/℃的TCR。

E/H (Ta2N) QPL電阻適用于國防和航天應用的控制系統，這些應用需要考慮在潮濕條件下工作或長期的儲存問題。器件的氮化鉭電阻膜可確保耐潮水平超過MIL-PRF-55342限值的50倍。

E/H (Ta2N) Mil-PRF-55342薄膜電阻具有不到-25dB的極低噪聲和0.5ppm/V的電壓系數。電阻的卷繞式端接采用了一個粘性很強的粘合層，上面覆蓋的電鍍鎳柵層可適應+150℃的工作條件，對典型電阻的影響小于0.010Ω。

新電阻采用01至12的M55342外形尺寸，功率等級為50mW～1000mW，工作電壓為40V～200V，根據不同的容差，阻值范圍為49.9Ω～3.3MΩ。

E/H (Ta2N) Mil-PRF-55342薄膜電容器現已量產，供貨周期為八周到十周。

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