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X-FAB Silicon Foundries今日發表XT018，這是世界首創的180納米200V MOS的獨立溝槽電介質(SOI)的工藝。這種完全隔離型的模塊化工藝讓不同電壓的區塊能夠整合在單一芯片上，大幅減少了印刷電路板的組件數量，也避免栓鎖效應(latch-up)更提供對抗電磁干擾的卓越性。 XT018 SOI技術是市面上唯一的180nm工藝，適用于100V到200V電壓范圍的應用。XT018適合需要雙向隔離的消費性、醫療、通信和工業應用，例如PoE、超音波傳送器、壓力作動器與電容驅動的微機械系統。 這項新技術以1.8V/5.0V的I/O與多達6層金屬的180nm工藝，結合了完全隔離的MOS組件來實現高壓汲極(high-voltage drain)。獨特的架構運用超接面(super-junction)結構與專利型的高壓端隔離MOS組件，實現精巧的Ron設計，100V NMOS組件為0.3 歐姆mm² 、200V NMOS組件為1.1歐姆mm²。在low side與high side的操作中，HV MOS組件均擁有相同的特性參數。 XT018的工藝模塊中有5V-only的模塊適用于模擬的應用，還有HVnmos與HVpmos模塊可分別選擇。這項技術完全適用于-40°C到175°C的溫度范圍。 除了HV晶體管之外，XT018提供一層厚的金屬層以支援大電流繞線、隔離型的10V MOS、基本的junction diodes與bipolar、中高阻值的poly電阻、高面積效益的MIM電容(2.2至6.6 fF/µm²)，以及高壓電容。超接面技術(super-junction)讓rectifying diodes擁有20ns的逆向復原時間(reverse recovery time)，也讓整流器(rectifiers)與bootstrap電路能夠有效地被整合到芯片上。 X-FAB高壓產品線營銷經理Sebastian Schmidt表示：“我們的XT018技術提供卓越的電介質高壓隔離。這種隔離讓設計工作更容易地達到較短的創新過程，簡單明確而且可以加快前期導入市場的時間。” XT018 設計套件已經完備，設計人員可立即著手設計。X-FAB將在今年稍后舉辦一場全新XT018工藝的網絡研討會。 |
