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IDT公司今天推出業(yè)界首款低功率DDR3 內(nèi)存緩沖芯片，可在高達(dá) 1866 兆/秒 (MT/s) 的傳輸速率下運(yùn)行。通過提升 DDR3 減少負(fù)載雙列直插內(nèi)存模塊 (LRDIMM) 的最高數(shù)據(jù)傳輸速率，并使系統(tǒng)制造商獲益于更高速度的內(nèi)存容量，新器件彰顯了IDT在內(nèi)存接口解決方案領(lǐng)域的領(lǐng)導(dǎo)者地位。IDT 的內(nèi)存緩沖芯片是用于服務(wù)器、工作站和存儲(chǔ)應(yīng)用的先進(jìn)內(nèi)存子系統(tǒng)的關(guān)鍵組件。 MB3518 是一個(gè)低功率 DDR3 內(nèi)存緩沖芯片，能在 1 個(gè)通道內(nèi)與 2 個(gè) LRDIMM 以高達(dá)1866 兆/秒的傳輸速率運(yùn)行。假設(shè)一個(gè) 32GB 容量的 4 通道 (quad-rank) LRDIMM，相當(dāng)于在一個(gè)典型服務(wù)器中傳輸速率為 1866 兆/秒的 512GB 容量，那么使用 8 通道 64GB 的 LRDIMM 容量能翻番達(dá)到超過 1TB，預(yù)計(jì)將在 2013 年推出。這意味著相比于標(biāo)準(zhǔn)注冊(cè)的雙列直插內(nèi)存模塊 (RDIMMs)，在最高速度等級(jí)的相對(duì)容量內(nèi)實(shí)現(xiàn)了四倍的提升，使計(jì)算系統(tǒng)能夠支持更多內(nèi)存并提升應(yīng)用性能。內(nèi)存緩沖芯片可在 1.5 V 或 1.35V 下運(yùn)行，在不犧牲性能的前提下提供業(yè)界最低的功耗。這直接使得終端用戶在功率和冷卻方面節(jié)約可觀的運(yùn)營費(fèi)用。 
IDT 公司副總裁兼企業(yè)計(jì)算部總經(jīng)理 Mario Montana 表示：“作為內(nèi)存接口解決方案的領(lǐng)導(dǎo)廠商，IDT 正在提高 LRDIMM 的性能極限。通過專注于低功率和高性能，在提升速度的同時(shí)堅(jiān)持開發(fā)高效節(jié)能的解決方案以降低數(shù)據(jù)中心的運(yùn)行成本并減少碳排放，IDT 的客戶們可以從中獲益。從系統(tǒng)來看，IDT 豐富的接口和互聯(lián)產(chǎn)品組合為廣大客戶提供了有吸引力的價(jià)值選擇，幫助他們構(gòu)建市場(chǎng)上最先進(jìn)的企業(yè)服務(wù)器和存儲(chǔ)設(shè)備。” 美光 (NASDAQ: MU) DRAM 市場(chǎng)部副總裁 Robert Feurle 表示：“美光致力于提供能夠在提升性能的同時(shí)降低功率的 LRDIMM 解決方案，來滿足我們的客戶在高性能計(jì)算 (HPC)、數(shù)據(jù)中心和云計(jì)算方面的需求。我們很高興與 IDT 緊密合作，開發(fā)下一代 LRDIMM 產(chǎn)品。” IDT 的內(nèi)存緩存芯片擁有獨(dú)有的調(diào)試和驗(yàn)證特性，包括每個(gè)引腳和晶片示波器的支持和內(nèi)置邏輯分析儀的采集以促進(jìn)全緩沖 DIMM 拓?fù)浼夹g(shù)的開發(fā)、驗(yàn)證和測(cè)試。這些特性對(duì)于 LRDIMM 模塊上的內(nèi)存緩沖到 DRAM 接口尤其重要，因?yàn)樗峭耆?dú)立于主控制器和自動(dòng)測(cè)試儀的。IDT 內(nèi)存緩沖芯片符合聯(lián)合電子工程委員會(huì) (JEDEC) 設(shè)立的最嚴(yán)格的規(guī)范。 |
