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Microsemi推出新型高成本效益瞬態(tài)電壓抑制器 保護(hù)飛機(jī)避免雷電沖擊

發(fā)布時(shí)間:2012-11-13 10:56    發(fā)布者:eechina
關(guān)鍵詞: 雷電 , 保護(hù) , 瞬變電壓 , 抑制
成本更低的專利PLAD封裝可將多次閃擊防雷電保護(hù)器件價(jià)格削減多達(dá)20%

美高森美公司(Microsemi) 推出兩款采用專利塑料大面積器件(plastic large area device, PLAD)封裝的全新低成本瞬變電壓抑制器(transient voltage suppressor, TVS)產(chǎn)品。成本更低的15kW MPLAD15KP和30kW MPLAD15KP TVS系列可以滿足飛機(jī)的雷電保護(hù)要求,包括多次閃擊標(biāo)準(zhǔn)(RTCA DO-160E)。隨著復(fù)合材料機(jī)身的推出和使用日益增多,雷電保護(hù)的重要性一直在增加。兩款器件均采用表面安裝封裝并與美高森美前代PLAD封裝TVS器件后向兼容,電氣或熱性能規(guī)范均無改變。

美高森美高可靠性產(chǎn)品部門營銷總監(jiān)Durga Peddireddy表示:“我們通過重新設(shè)計(jì)專有PLAD封裝,可為客戶提供將TVS保護(hù)器件成本降低大約20%的高可靠性解決方案。此外,我們的單一組件解決方案可以節(jié)省電路板空間,減輕重量并提高可靠性,超越了通常用于提供這些高水平保護(hù)功能的多器件設(shè)計(jì)。”

新型15 kW和30 kW PLAD設(shè)計(jì)降低了電壓浪涌保護(hù)器件的成本,防止由于電感性負(fù)載開關(guān)或雷電間接效應(yīng)造成的數(shù)字信號處理的破壞、元器件損壞和功能中斷。PLAD封裝結(jié)合了大芯片尺寸和一個(gè)用于散熱的大型裸露金屬底片,實(shí)現(xiàn)相比通孔設(shè)計(jì)更好的功率處理性能。PLAD還與標(biāo)準(zhǔn)表面安裝組裝自動化工藝兼容。

15 kW系列TVS器件的工作電壓范圍為7V至200 V(待機(jī)),30 kW系列的工作電壓范圍則為14V至400 V,兩個(gè)產(chǎn)品系列均備有單向和雙向型款。這些器件采用RoHS兼容形式(2002/95/EC)或SnPb引腳鍍層。它們不含鹵素(IEC 61249-2-21)并達(dá)到MSL level 1 (J-STD-020)工業(yè)標(biāo)準(zhǔn)。

美高森美所有的PLAD封裝器件均經(jīng)過100%浪涌測試,并可提供各種“強(qiáng)化篩選”(upscreened)型款器件,這些器件經(jīng)過各種水平的附加認(rèn)證和篩選測試(與應(yīng)用于JANX軍用等級器件的測試相似),以便消除器件初期失效率和提升可靠性。材料和制造更改僅僅依照客戶的工藝更改通知(Process Change Notification)來進(jìn)行。要了解更多的信息,請?jiān)L問公司網(wǎng)頁http://www.microsemi.com/en/site ... -Screen_Plastic.pdf。

除了TVS器件之外,美高森美航空產(chǎn)品系列包括:現(xiàn)場可編程門陣列(FPGA)、IC、集成標(biāo)準(zhǔn)和定制產(chǎn)品、功率模塊、電源、射頻、微波和毫米波解決方案,以及高可靠性非半導(dǎo)體產(chǎn)品。許多器件具有耐輻射或抗輻射特性,通過了Class-B QML和DSCC認(rèn)證。

要了解更多的信息,請?jiān)L問公司網(wǎng)頁 http://www.microsemi.com/en/design-support/product-brochures。


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