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高電壓IGBT可降低系統整體成本、電路板尺寸和總功耗 高功率和高頻率感應加熱(IH)家用電器需要更低的傳導損耗和卓越的開關性能，以便在IH電飯煲、臺式電磁爐和基于逆變器的微波爐等應用中實現更高的效率和系統可靠性。 飛兆半導體的高電壓場截止陽極短路(Shorted Anode) trench IGBT可針對這些設計挑戰為設計人員提供經濟實惠且高效的解決方案。 該款全新產品系列針對軟開關應用，在1000V至1400V的電壓范圍內，利用固有的反并聯二極管進行了優化。 隨著超越典型非穿通型(NPT) IGBT技術的不斷進步，飛兆半導體的陽極短路硅技術可提供更低的飽和電壓，比額定功率相同的NPT-trench IGBT要低12%以上。 此外，如果與競爭對手的IGBT產品相比，該產品系列的拖尾電流速率要低20%以上。 由于具有這些豐富特性，飛兆半導體先進的IGBT因而能提供更佳的熱性能、更高的效率以及更低的功耗。 
特點與優勢： • 高速開關頻率范圍： 10至50 kHz • 業界最低的拖尾電流，可改進開關損耗(FGA20S140P) • 與現有的NPT trench IGBT相比，飽和壓降更低 • 電位計檢測抗噪能力強健，可提高可靠性 • 高溫穩定特性： Tj(max) = 175 ºC • 符合RoHS標準（無鉛引腳電鍍） 封裝和報價信息（1,000片起訂，價格單位：美元），按請求提供樣品。交貨期：收到訂單后8-12周內 采用TO-3P 3L封裝： • 1250V FGA20S125P $2.03 • 1250V FGA25S125P $2.03 • 1300V FGA30S120P $5.25 • 1400V FGA20S140P $2.25 采用TO-247 3L封裝： • 1300V FGH30S130P $3.40 飛兆半導體的場截止陽極短路trench IGBT提供業界領先的技術，以應對在當今設計中遇到的能效和形狀因數挑戰。 這些應用都是飛兆半導體節能型功率模擬IC、功率分立式器件和光電子器件解決方案的一部分，而這些解決方案可在功率敏感型應用中實現最大限度的節能。 產品的 PDF 格式數據表可從此網址獲取： http://www.fairchildsemi.com/ds/FG/FGA20S125P.pdf http://www.fairchildsemi.com/ds/FG/FGA25S125P.pdf http://www.fairchildsemi.com/ds/FG/FGA30S120P.pdf http://www.fairchildsemi.com/ds/FG/FGA20S140P.pdf http://www.fairchildsemi.com/ds/FG/FGH30S130P.pdf 查詢更多信息，請聯絡飛兆半導體香港辦事處，電話：852-2722-8338；深圳辦事處，電話：0755-8246-3088；上海辦事處，電話：021-3250-7688；北京辦事處，電話：010-6408-8088 或訪問公司網站：http://www.fairchildsemi.com/cn/。 |
