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1.5GHz BiCMOS級(jí)間電感匹配低噪聲放大器設(shè)計(jì)

發(fā)布時(shí)間:2010-6-6 15:55    發(fā)布者:zealot
關(guān)鍵詞: BiCMOS , 電感匹配 , 噪聲放大器
在一個(gè)無線接收系統(tǒng)中,為了獲得良好的總體系統(tǒng)性能,需要一個(gè)性能優(yōu)越的前端,而低噪聲放大器(LNA)就是前端的一個(gè)重要組成部分。      

由于共源共柵級(jí)結(jié)構(gòu)能同時(shí)滿足噪聲和功率匹配的要求,因此在LNA的設(shè)計(jì)中被廣泛采用。但共源級(jí)和共柵級(jí)之間的匹配是個(gè)關(guān)鍵問題,筆者通過在其之間插入一個(gè)級(jí)間匹配電感,使得這個(gè)問題得以解決。

低噪聲放大器電路結(jié)構(gòu)
      
低噪聲放大器作為射頻信號(hào)傳輸鏈路的第一級(jí),必須滿足以下要求:首先,具有足夠高的增益及接收靈敏度;其次,具有足夠高的線性度,以抑止干擾和防止靈敏度下降;第三,端口匹配良好,信號(hào)能夠有效地傳輸。另外,還要滿足有效隔離、防止信號(hào)泄漏以及穩(wěn)定性等方面的要求。
      
通常,射頻電路端口要與50Ω阻抗匹配,為了滿足輸入端功率匹配條件,一般采用源極串聯(lián)電感反饋匹配結(jié)構(gòu),如圖1所示。圖2是該結(jié)構(gòu)的小信號(hào)圖。


圖1  源極串聯(lián)電感反饋匹配結(jié)構(gòu)


圖2 源極串聯(lián)電感反饋匹配結(jié)構(gòu)的小信號(hào)圖   

在圖1、圖2中,Lg為柵極串連電感,LS為源極串連電感,Cgs為等效柵源電容。由圖2可得:
(1)
當(dāng)諧振時(shí)有:
(2)
其中,
      
這種結(jié)構(gòu)用電感來等效實(shí)電阻進(jìn)行阻抗匹配,沒有引入過多的噪聲,因此被廣泛采用。

噪聲分析及優(yōu)化
      
低噪聲放大器中的噪聲主要包括溝道電流噪聲、感應(yīng)柵電流噪聲和柵電阻噪聲,其小信號(hào)等效電路如圖3所示。


圖3 小信號(hào)等效噪聲電路   

其中,溝道電流噪聲是載流子和熱振動(dòng)原子的隨機(jī)碰撞引起的,其表達(dá)式為

(3)

式中,gd0為漏源偏置為0時(shí)的漏極輸出電導(dǎo); 為MOS管的跨導(dǎo); 為與器件工藝和偏置相關(guān)的常數(shù),值為2/3~2;α=gm/gd0 <1。

另外一個(gè)噪聲源是柵電阻噪聲,通過多指狀柵的結(jié)構(gòu)縮減柵電阻的方法可以減小它。

柵電流噪聲則是由于溝道載流子的擾動(dòng)經(jīng)由柵電容耦合到柵極形成的,其表達(dá)式為

(4)

其中,;δ表示柵噪聲系數(shù),值在4/3~15/2之間。

噪聲系數(shù)F定義為輸入信噪比與輸出信噪比的比值:

(5)

式中,G表示功率增益。這里的噪聲是指總的輸出噪聲與源阻抗在輸出端產(chǎn)生的噪聲的比值,因此我們得到這種結(jié)構(gòu)的低噪聲放大器的噪聲系數(shù)為

(6)

(7)

(8)
   
式中,RS為源阻抗,RL和Rg分別是Lg的等效寄生電阻和MOS管的柵電阻。
      
在圖1中,忽略了Cgd的影響,但它的存在對(duì)電路的影響很大,因?yàn)檩敵鰰?huì)通過它反饋到輸入,一方面惡化噪聲性能,另一方面促使電路不穩(wěn)定。所以,要采用兩級(jí)級(jí)聯(lián)結(jié)構(gòu)來抑制柵漏電容,這樣不僅提高了穩(wěn)定性,改善了噪聲性能,還能提供較大增益。不過最關(guān)鍵的就是在兩個(gè)MOS管M1和M2之間插入一個(gè)片上集成電感Lm,如圖4所示。


圖4  共源共柵結(jié)構(gòu)的LNA

原因是M1和M2為單獨(dú)的管子,它們之間存在較大的寄生電容,影響了信號(hào)的傳輸,從而惡化噪聲系數(shù)。而加入的電感能加強(qiáng)他們之間的匹配,使噪聲性能和增益有所改善。
      
根據(jù)不同的級(jí)間匹配電感值,增益和噪聲的變化如圖5和圖6所示。

圖5 不同電感值增益的變化


圖6 不同電感值噪聲的變化   

由上圖的結(jié)果可知,當(dāng)匹配電感的值取5nH時(shí),效果最理想。

設(shè)計(jì)與仿真結(jié)果
      
本設(shè)計(jì)采用單端結(jié)構(gòu),全單片集成,具體電路見圖7。


圖7 低噪聲放大器電路圖

整個(gè)設(shè)計(jì)基于了TSMC 0.35μm鍺硅射頻工藝模型。為了提高集成度,所有的電感都采用片上集成電感,為平面螺旋八邊形,用頂層金屬繞制而成。輸出端采用的是LC槽電路,諧振時(shí)阻抗很大,有選頻和提高增益的作用。
      
為了降低功耗,電源電壓為1.5V,工作頻率1.5G,靜態(tài)功耗約為16.5mW。用Cadence中spectreRF進(jìn)行仿真,得到輸入反射系數(shù)(S11)和輸出反射系數(shù)(S22)分別為-7.4dB和-20.8dB。
      
由于采用級(jí)間匹配電感,中心頻率處的電路增益提高了約3dB,達(dá)17.7dB,提高了約20%;噪聲系數(shù)降低了約     0.45dB,為2.05dB,降低了約18%,變化曲線如圖8和圖9所示。


圖8  匹配前后的增益變化


圖9  匹配前后的噪聲變化

低噪聲放大器除了提供較低的噪聲,較高的增益外,還需要有較好的線性度,以避免較強(qiáng)信號(hào)的干擾。線性度一般用三階交調(diào)點(diǎn)(IP3)來衡量,包括輸入三階交調(diào)點(diǎn)(IIP3)和輸出三階交調(diào)點(diǎn)(OIP3),可以采用雙音測(cè)試法來測(cè)量,即在輸入端加入兩個(gè)頻率相近幅值相等的兩個(gè)信號(hào),然后改變幅值來測(cè)量,結(jié)果如圖10所示。輸入三階交調(diào)點(diǎn)(IIP3)約為5.2dBm。


圖10 放大器的線性度(IIP3)
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