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采用PowerPAK SO-8L和DPAK封裝的100V N溝道器件具有8.9mΩ的RDS(ON)，占位面積為5mm x 6mm Vishay發(fā)布首顆通過AEC-Q101認證的采用ThunderFET技術(shù)的TrenchFET功率MOSFET。為提高效率和節(jié)省汽車應(yīng)用里的空間，Vishay Siliconix 100V N溝道SQJ402EP、SQJ488EP和SQD50N10-8m9L提供了PowerPAK SO-8L和DPAK封裝的產(chǎn)品中最低的導(dǎo)通電阻。 
Vishay的ThunderFET技術(shù)可在單位晶粒面積內(nèi)實現(xiàn)更低的導(dǎo)通電阻。在更低導(dǎo)通電阻是決定因素的應(yīng)用場合，這項技術(shù)使采用DPAK封裝的SQD50N10-8m9L在10V下實現(xiàn)了8.9mΩ的超低導(dǎo)通電阻；在空間是首要因素的時候，SQJ402EP和SQJ488EP在10V下11mΩ的導(dǎo)通電阻與之相近，而小尺寸5mm x 6mm PowerPAK SO-8L封裝的尺寸只有DPAK封裝的一半。 今天推出的這些MOSFET的連續(xù)漏極電流達到50A，適用于汽車發(fā)動機控制單元里的噴射增壓應(yīng)用和照明控制單元里用于照明鎮(zhèn)流器的反激式轉(zhuǎn)換器。器件的柵極電荷低至18nC，具有低導(dǎo)通電阻與柵極電荷乘積(該參數(shù)是DC/DC轉(zhuǎn)換器里MOSFET的優(yōu)值系數(shù))，可減少開關(guān)損耗，并提高整體系統(tǒng)效率。 SQJ402EP、SQJ488EP和SQD50N10-8m9L通過了100%的Rg和UIS測試，符合JEDEC JS709A的無鹵素規(guī)定和RoHS指令2011/65/EU。器件的工作溫度為-55℃～+175℃。 器件規(guī)格表：
SQJ402EP、SQJ488EP和SQD50N10-8m9L已加入Vishay此前發(fā)布的通過AEC-Q101認證的SQ Rugged系列。欲了解全部SQ系列器件的更多信息，請訪問http://www.vishay.com/mosfets/automotive-mosfets/。 新款車用MOSFET現(xiàn)可提供樣品，并已實現(xiàn)量產(chǎn)，大宗訂貨的供貨周期為十六周。 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
