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意法半導體（STMicroelectronics，簡稱ST）和三星電子株式會社今天簽署了28納米全耗盡型絕緣層上硅(FD-SOI)技術多資源制造全方位合作協議。 該技術特許協議授權三星利用其現代化的300mm晶圓制造廠為客戶提供先進的芯片制造解決方案，確保半導體工業能夠在芯片量產中利用意法半導體的FD-SOI技術。28納米 FD-SOI技術可制造速度更快、散熱更好、工序更簡單的半導體器件，滿足移動和消費電子等下一代電子產品市場對更高性能和更低功耗的系統芯片的日益增長的需求。 該28納米FD-SOI技術合作協議內容包括意法半導體成熟的制造工藝和設計支持生態系統。意法半導體已完成了28納米 FD-SOI技術的性能、功耗和簡易性的驗證測試，繼續吸引更多廠商采用這項技術設計芯片，使其保持持續增長的態勢。該協議是對意法半導體在法國Crolles的300mm晶圓廠的28納米 FD-SOI產能的有益補充，為選購28納米 FD-SOI產品的客戶提供了多貨源選擇機會，同時還為客戶帶來三星和意法半導體在大規模制造技術方面的豐富經驗和全面技術。預計三星28納米 FD-SOI制造工藝將于2015年初完成量產認證測試。 意法半導體首席運營官Jean-Marc Chery表示：“以三星和意法半導體在國際半導體研發聯盟框架內建立的穩定的合作關系為基礎，該協議將雙方的合作范圍擴展至28納米 FD-SOI技術，同時還擴大了產業生態系統和意法半導體及整個電子工業的產能。近幾個季度，我們的嵌入式處理解決方案部與多名客戶簽訂了多項技術合作項目，28納米 FD-SOI業務呈持續增長態勢，該協議的簽訂證實并進一步擴大了這項技術取得的成功。我們預測 28納米 FD-SOI技術生態系統將會進一步擴大，覆蓋到主要的EDA和IP供應商，28納米 FD-SOI產品系列因而將會變得更加豐富。” 三星系統LSI業務部執行副總裁Seh-Woong Jeong表示：“我們榮幸地宣布這一28納米 FD-SOI合作項目。對于想要更高性能和能效而沒有必要遷移到20納米的客戶，這是一個理想的解決方案。28納米制造工藝的生產效率很高，基于成熟的制造設施，具有很長的生命周期。通過在現有技術組合內增加FD-SOI，我們將為客戶提供種類齊全的28納米產品。” |
