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高性價(jià)比的SONOS嵌入式非易失性存儲(chǔ)器能為下一代智能卡、微控制器和物聯(lián)網(wǎng)應(yīng)用帶來更高的良率及可擴(kuò)充產(chǎn)能的工藝技術(shù) 賽普拉斯半導(dǎo)體公司與聯(lián)華電子公司（UMC）聯(lián)合宣布，UMC獲得了賽普拉斯SONOS（氧化硅氮氧化硅）嵌入式閃存的知識(shí)產(chǎn)權(quán)（IP）的使用權(quán)，用于其55納米工藝技術(shù)節(jié)點(diǎn)。賽普拉斯的SONOS技術(shù)能更方便地集成非易失性存儲(chǔ)單元，同時(shí)具有無與倫比的產(chǎn)能擴(kuò)充能力，以適應(yīng)未來需要。主要的應(yīng)用領(lǐng)域包括可穿戴設(shè)備、物聯(lián)網(wǎng)（IoT）應(yīng)用、微控制器和邏輯主導(dǎo)（logic-dominated）的產(chǎn)品。 賽普拉斯的55納米SONOS嵌入式非易失性存儲(chǔ)器（NVM）工藝與其他嵌入式NVM方案相比具有顯著的優(yōu)勢(shì)。要嵌入標(biāo)準(zhǔn)的CMOS工藝，SONOS需要的掩膜層數(shù)更少。具體來說，SONOS只需3到4層額外的掩膜，而其他嵌入式閃存技術(shù)一般需要11到12層。當(dāng)添加到基準(zhǔn)CMOS工藝制程中時(shí)，SONOS 不會(huì)改變標(biāo)準(zhǔn)的器件特性或模式，能保持已有的設(shè)計(jì)IP。SONOS本身具有高良率和可靠的特性、10年的數(shù)據(jù)保存期、10萬次編程/擦寫壽命，以及強(qiáng)大的抗軟錯(cuò)誤能力。UMC在2013年曾驗(yàn)證過賽普拉斯的S65™ 65納米 SONOS工藝技術(shù)。賽普拉斯和UMC已展示了將SONOS延伸到更小節(jié)點(diǎn)的能力，以加速未來IP的開發(fā)。 UMC負(fù)責(zé)特殊技術(shù)開發(fā)的副總裁S.C. Chien說：“我們擁有眾多的半導(dǎo)體IP生態(tài)合作伙伴，UMC計(jì)劃建立更多的增值技術(shù)平臺(tái)，以適應(yīng)未來低功耗、高集成度IC設(shè)計(jì)的需求，例如IoT和可穿戴設(shè)備。我們很高興與賽普拉斯合作，為客戶帶來55納米SONOS技術(shù)的諸多優(yōu)勢(shì)，包括穩(wěn)定的性能、良好的成本和久經(jīng)考驗(yàn)的高良率�；赨MC在特殊工藝方面已有的成功經(jīng)驗(yàn)，例如RF, BCD, HV, CIS 和 eFlash等等，我們計(jì)劃利用賽普拉斯易于集成的55納米非易失性存儲(chǔ)IP來滿足不同的應(yīng)用需求�！� 賽普拉斯技術(shù)與知識(shí)產(chǎn)權(quán)事業(yè)部副總裁Sam Geha說：“賽普拉斯一直致力于與UMC這樣的業(yè)界領(lǐng)先企業(yè)開展合作，將SONOS IP作為嵌入式非易失性存儲(chǔ)的首選方案。55納米SONOS工藝生逢其時(shí)，可以滿足UMC各種客戶強(qiáng)烈的市場(chǎng)需求。許多新產(chǎn)品均面向快速成長的市場(chǎng)，包括智能卡、銀行卡、可穿戴設(shè)備和物聯(lián)網(wǎng)等，均可受益于SONOS的低成本、高性能和高可靠性�！� |
