由IBM發明的賽道內存(Racetrack memories)最近受到加州大學戴維斯分校(UC Davis)研究人員的重視，他們認為透過一種具前景的新材料可望使賽道內存成為現實。 UC Davis目前正與半導體研究公司(Semiconductor Research Corporation；SRC)共同合作，期望利用納米線打造出一種較硬盤(HD)或固態閃存(flash)更快速、更高容量、更可靠且更低功耗的賽道內存(Racetrack memories)。 “當今的趨勢是在計算機中加進固態閃存，但它比起硬盤更昂貴，”SRC納米制程科學總監Bob Havemann表示，“但我們能成功地配置這種賽道內存，它可帶來更快速度、更低成本、更高容量、更加可靠以及提高能效。” UC Davis的研究人員們一直致力于研究一種稱為“鑭鍶錳氧”(LSMO；La0.67 Sr0.33 Mn O3)的氧化物及其特性，它具有新穎的磁、電與光學特性。 “我們一直在研究氧化物材料或多鐵性材料，因為這些材料的磁狀態不僅可以透過磁場改變，也會因為電場和光線而變化，”UC-Davis教授Yayoi Takamura表示，“在與SRC合作后，我們一直在構圖打造賽道內存所需的幾何圖案──內含凹陷以限制磁疇壁的1維納米線。” 賽道內存(Racetrack memories)的工作原理類似于硬盤，而且它是完全固態的，相較于磁盤在寫入磁頭下旋轉磁疇的方式，賽道內存的磁疇沿著由凹陷式納米線組成的閉合軌道讀寫。納米線的磁狀態可經由寫入磁頭定位加以改變，從而改變每個凹陷的磁向，然后將沿著納米線長度編碼的圖案移至下一凹陷，因而以賽道來比喻。 “IBM先前的開發工作是在金屬材料上進行，但我們看好的是復雜的氧化物，并試圖了解兩種材料的差異，以及如何在配置賽道內存時，如何讓氧化物材料表現的比金屬材料更好。 從在一年多以前開始，Takamura的研究小組試圖打造一款完整的賽道內存，因此他們需要SRC制造芯片的協助。如今，UC Davis已經開發出自有的薄膜了，但還必須將晶圓送至橡樹嶺國家實驗室(ORNL)，以便可在凹陷式納米線中構圖。其他協助Takamura研究小組的組織還包括ORNL納米相材料科學中心、羅倫斯柏克萊國家實驗室(LBNL)的先進光源中心。 Takamura表示：“我們不會在此時開發賽道內存原型。我們目前已經有一項展示可看到賽道內存組件采用一種完全不同的材料時應該會發生的類似現像，它和典型采用的金屬材料系統是不一樣的。我們的下一步將會研究納米線幾何、凹陷的理想形狀，以及我們可封裝的多么緊密以定義內存密度。” 目前仍然存在的挑戰包括為所形成的磁疇壁形狀實現優化、控制在納米線中的位置，以及掌握其沿納米線賽道的運動。尚待進行優化的參數包括施加的磁場與電場密度、光線照射程度、壓力與溫度。 |
