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隨MEMS組件已成為智能產品的主要核心，iST集團-臺灣總部宜特科技 MEMS微機電系統檢測技術再突破。宜特繼去年成功建構出MEMS G-Sensor的標準失效分析流程，協助開發MEMS的客戶完成檢測，今年宜特更利用獨特動態手法，獨家研發出第二代MEMS異常點檢測，此技術手法不僅領先業界兩個世代，更實際運用在MEMS組件的設計/制造公司，使得宜特 MEMS委案量成倍數成長。 宜特觀察發現，許多MEMS開發公司，在產品試產階段，將會做信賴性驗證，確保產品質量。然而，在信賴性驗證過程中，易造成沾黏(Stiction)、訊號移位(Off-set)、結構毀損(Structure damage)等失效狀況。為解決失效狀況，許多MEMS廠商，在藉由制作樣品找異常點時，因不熟悉分析手法，又再一次造成組件污染，導致更難厘清是產品本身問題，還是樣品制備過程出錯。 此外，因組件為懸浮結構，以外力移除時也易產生毀損。雙方影響下，容易造成組件污染和應力破壞，不但沒有找出真因，反而制造更多失效盲點。 宜特故障分析工程處處長 許如宏表示，宜特無應力/無污染的標準分析技術，不僅協助臺灣超過九成的MEMS客戶在設計時，厘清失效因素，更在設計業者投片取得MEMS晶圓后，協助檢測晶圓公司無法載出介層的異常現象。 許如宏進一步指出，今年，宜特再接再厲，開發出領先業界兩個世代以上的「二代MEMS無應力全質量塊移除分析技術」(參見下圖)，搭配獨特動態/結構手法，更可精確的在MEMS非破壞的狀態下，取得異常模態信息，并經由MEMS樣品制備后影像交叉比對，找出失效真因，并對癥下藥，快速改善異常現象。 
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