IR 推出1200V Gen8 IGBT系列，提升工業(yè)應(yīng)用的基準(zhǔn)效率和耐用性

發(fā)布時(shí)間：2014-11-18 15:45 發(fā)布者：eechina

關(guān)鍵詞： IGBT , 1200V

國(guó)際整流器公司 (International Rectifier，簡(jiǎn)稱(chēng)IR) 推出新一代絕緣柵雙極晶體管 (IGBT) 技術(shù)平臺(tái)。全新第八代 (Gen8) 1200V IGBT平臺(tái)適用于符合行業(yè)標(biāo)準(zhǔn)的TO-247封裝，并采用IR新一代溝道柵極場(chǎng)截止技術(shù)，為工業(yè)及節(jié)能應(yīng)用提供卓越性能。

全新的Gen8組件提供從8A到高達(dá)60A的電流額定值，加上1.7V典型VCE(ON) 和10µs短路額定值，能夠減少功耗，有效增加功率密度并帶來(lái)卓越的耐用性。

IR亞太區(qū)銷(xiāo)售副總裁潘大偉表示：“IR通過(guò)開(kāi)發(fā)全新基準(zhǔn)技術(shù)及頂尖的IGBT硅平臺(tái)，彰顯其數(shù)十年來(lái)致力提升功率電子技術(shù)的承諾。我們期望為所有電動(dòng)馬達(dá)實(shí)現(xiàn)百分百變頻，從而更有效地使用電能，并且綠化環(huán)境。”

新技術(shù)為電機(jī)驅(qū)動(dòng)應(yīng)用提供更理想的軟關(guān)斷功能，通過(guò)盡量降低dv/dt來(lái)減少電磁干擾和過(guò)壓情況，有助于提升可靠性及耐用性。該平臺(tái)的參數(shù)分布狹窄，在進(jìn)行多個(gè)IGBT并聯(lián)時(shí)便可帶來(lái)出色的電流分配。薄晶圓技術(shù)則改善了熱阻，還可達(dá)到175°C的最高結(jié)溫。

潘大偉指出：“IR的Gen8 IGBT平臺(tái)旨在為工業(yè)應(yīng)用提供卓越的技術(shù)。該IGBT平臺(tái)憑借頂尖的VCE(ON)、卓越的耐用性及頂級(jí)的開(kāi)關(guān)功能，使工業(yè)市場(chǎng)所面臨的難題迎刃而解。”

規(guī)格

器件編號(hào)	封裝	BV (V)	I(nom) (A)	VCE(ON) (V)	Tsc (µs)
IRG8P08N120KD	TO247	1200	8	1.7	10
IRG8P15N120KD	TO247	1200	15	1.7	10
IRG8P25N120KD	TO247	1200	25	1.7	10
IRG8P40N120KD	TO247	1200	40	1.7	10
IRG8P50N120KD	TO247	1200	50	1.7	10
IRG8P60N120KD	TO247	1200	60	1.7	10

產(chǎn)品現(xiàn)正接受批量訂單。新器件符合電子產(chǎn)品有害物質(zhì)管制規(guī)定 (RoHS)。更多信息，請(qǐng)瀏覽IR的網(wǎng)站http://www.irf.com。

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