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1.畫出CMOS晶體管的CROSS-OVER圖（應(yīng)該是縱剖面圖），給出所有可能的傳輸特性和轉(zhuǎn)移特性。 2.畫出NOT,NAND,NOR的符號(hào)，真值表，還有transistor level的電路。 3.給出一個(gè)簡(jiǎn)單電路，讓你分析輸出電壓的特性（就是個(gè)積分電路），并求輸出端某點(diǎn)的 rise/fall時(shí)間。 4.給出一個(gè)簡(jiǎn)單的由多個(gè)NOT,NAND,NOR組成的原理圖根據(jù)輸入波形畫出各點(diǎn)波形。 5.給出多個(gè)mos管組成的電路求5個(gè)點(diǎn)的電壓! 6.給出單管DRAM的原理圖(西電版《數(shù)字電子技術(shù)基礎(chǔ)》（作者楊頌華、馮毛官）205頁(yè) 圖9－14b），問你有什么辦法提高refresh time，總共有5個(gè)問題，記不起來了（降低溫度，增大電容存儲(chǔ)容量） 7.編一個(gè)簡(jiǎn)單的求n!的程序 8.sketch 連續(xù)正弦信號(hào)和連續(xù)矩形波(都有圖)的傅立葉變換 |
