|
晶圓代工大廠臺積電（TSMC）近日宣布將推出精簡型、低功耗版本的16納米FinFET制程，并公布其更先進納米制程技術藍圖；臺積電預定自今年中開始量產(chǎn)最新的16納米FinFET Plus （16FF+）制程，并在2016年展開10納米制程生產(chǎn)。 在20納米芯片正式量產(chǎn)之后，臺積電宣布于2015年中開始量產(chǎn)16FF+ 制程，該公司并表示采用此新制程的芯片性能可提升10%，功耗能比20納米芯片低50%，周期時間（cycle time）則是20納米芯片的兩倍。臺積電共同執(zhí)行長劉德音（Mark Liu）并在于美國矽谷舉行的年度技術大會上表示，該公司新制程到今年底將有超過50款芯片投片（tape-out），包括應用處理器、繪圖處理器 （GPU）以及汽車、網(wǎng)路處理器。 “我們正處于一個關鍵時期──今日我們不只要推動各自公司的成長，還要推動對以往不存在之新公司的搜尋；”劉德音表示：“我們的消費性產(chǎn)品周期改變不多，改變的是產(chǎn)品設計與技術開發(fā)的節(jié)奏，在相同的時間框架之下，有越來越多工作必須要完成。” 劉德音指出，臺積電已經(jīng)與ARM合作進行Cortex-A72處理器核心的開發(fā)，利用16FF+ 制程讓其性能達到Cortex-A15的3.5倍，而功耗則減少了75%；他并指出，臺積電與ARM將繼續(xù)在下一個制程節(jié)點進行合作。 臺積電也開發(fā)了精簡型（compact）版本的16納米FinFET制程，命名為16FFC，鎖定中低階智能手機、消費性電子產(chǎn)品與穿戴式裝置使用；該制程能將功耗降低超過50%，達到0.55伏特，預計在2016下半年開始產(chǎn)品投片。 “在16FF與16FF+方面，已經(jīng)在成本上有一些明顯的挑戰(zhàn)，我們預期每閘成本也會升高；”市場研究機構(gòu)International Business Strategies執(zhí)行長Handel Jones表示：“我認為他們已經(jīng)藉由16FFC制程承認了這一點，16FFC將會獲得不少青睞，特別是因為他們能提供低功耗版本。” 長時間以來臺積電與三星（Samsung）一直在16/14納米節(jié)點相互競爭──臺積電的16納米制程與其他同業(yè)的14納米制程性能相近，而三星則是在今年度的世界行動通訊大會（MWC）期間宣布其Galaxy S6智能手機將采用14納米芯片。臺積電的主管不愿意對市場競爭多做評論，而最后誰是贏家，從芯片產(chǎn)量可見分曉。 “三星聲稱他們已經(jīng)開始量產(chǎn)（14納米制程），但我們還沒看到任何實際產(chǎn)品；”International Business Strategies的Jones提到了Exynos芯片：“如果三星現(xiàn)階段確實開始大量生產(chǎn)，他們就領先了臺積電。” 10納米制程節(jié)點 臺積電的16納米制程技術預定今年夏天量產(chǎn)，該公司也公布了眾所矚目的10納米制程計畫；10納米制程的邏輯閘密度會是16納米制程的2.1倍，速度提升 20%，功耗則降低40%。臺積電展示了采用10納米節(jié)點的256MByte容量SRAM，預計10納米節(jié)點將在2016年底開始生產(chǎn)，并透露有10家以 上的夥伴正進行不同階段的設計。 “我們認為10納米將會是持久技術節(jié)點，臺積電也將加速10納米制程進度，我認為這對產(chǎn)業(yè)界來說是一個很不錯的征兆；”Jones表示：“隨著10納米節(jié)點加速進展──他們可能最后會邁向8納米節(jié)點──臺積電將拉近與英特爾（Intel）的差距，我認為臺積電運勢正好。” Jone指出，臺積電已經(jīng)在16納米以及10納米技術投資115億至120億美元，這意味著該公司必須要有客戶到位；為了強化10納米制程的承諾，臺積電將在2016年第二季進行一座新晶圓廠的10納米制程設備裝機，并將在本季在一座現(xiàn)有晶圓廠移入10納米設備。 英特爾將會是臺積電在10納米制程節(jié)點的主要競爭者，前者預期在接下來10~18個月量產(chǎn)10納米制程；而兩者之間的競爭重點或許不在于量產(chǎn)時程，而是英特 爾的設計實力以及制造技術方面的問題。“還不清楚誰會在16/14納米制程領先，但我認為臺積電正積極嘗試在10納米節(jié)點超前；”Jone表示：“如果真是如此，臺積電追上了英特爾，屆時就要看臺積電的10納米與英特爾的10納米是否相同。” |
