業界首款在4.5V柵極驅動下額定導通電阻8.5mΩ的80V MOSFET（Vishay）

發布時間：2010-7-9 10:25 發布者：嵌入式公社

Vishay推出采用針對更高電壓器件優化的新型低導通電阻技術的首款TrenchFET功率MOSFET --- ThunderFET SiR880DP。新器件是業界首款在4.5V柵極驅動下就能導通的80V功率MOSFET。新的80V SiR880DP采用熱增強型PowerPAK SO-8封裝，在4.5V、7.5V和10V下具有8.5mΩ、6.7mΩ和5.9mΩ的超低導通電阻。在4.5V柵極驅動下，該器件的典型導通電阻與柵極電荷的乘積為161，該數值是DC-DC轉換器應用中MOSFET的優值系數(FOM，單位是nC-mΩ)。

SiR880DP針對通信負載點應用的隔離式DC-DC轉換器中初級側開關進行了優化。非常低的導通電阻意味著可減少功率損耗和實現更綠色的解決方案，尤其是在待機模式這樣的輕負載條件下。

器件的4.5V電壓等級有助于實現更高頻率的設計，在POL應用中大幅降低柵極驅動損耗，并且可以使用電壓更低、成本更低的5V PWM IC。截止目前，其他80V功率MOSFET還只能在6V或更高的柵極驅動下才能導通。

SiR880DP經過了完備的Rg和UIS測試。這款采用PowerPAK SO-8封裝的MOSFET符合IEC 61249-2-21的無鹵素規定，符合RoHS指令2002/95/EC。

SiR880DP現可提供樣品，并已實現量產，大宗訂貨的供貨周期為十六周。

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