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電子產業迫切需要新的微機電系統（MEMS）來推動傳感器和物聯網（IoT）的發展。根據業界分析師表示，如果期望利用物聯網驅動下一輪的電子產業成長， 在很大程度上必須依賴MEMS和傳感器技術，才能使所有的智能物件與現實世界進行互動。但從實現新的MEMS設計到量產，可能要花很長的時間以及高昂的代價，才能滿足物聯網市場的期待——除非電子產業能夠找到加速MEMS開發之路。 采用現有MEMS元件的新應用正以12%的年成長率推動MEMS市 場進展。然而，Yole Dveloppement執行長兼總裁Jean-Christophe Eloy表示，除非業界能夠找到如何順利將機械元件轉換為矽晶的方法，否則要加速突破性新產品量產的困難度，可能減緩未來的MEMS市場成長。 MEMS完全創新產品缺席逾十年 透過在更多應用中更廣泛地采納成熟的MEMS元件，可望讓這種更小體積、更高性能且更低成本的漸進式元件創新，持續刺激傳感器及其所實現的系統邁向強勁成 長。去年在MEMS領域實現最快速成長的要算是安華高科技（Avago Technologies）和Qorvo（原Triquint），這是因為LTE的廣泛普及對于多模手機所用的體聲波（BAW）濾波器帶來了很大的需求。 同樣地，更多應用對于MEMS麥克風和慣性傳感器的強勁需求，有助于推動更多的傳感器供應商進軍2-3億年營收范圍的行列。 “這真的很重要，因為現在有多家公司都有潛力發展成為10億美元的公司，”Eloy指出。 然而，僅采用現有元件類型的新應用要維持110億美元業務的兩位數成長，在時間上可能無法長久�！疤魬鹬辉谟谧罱耆珓撔碌漠a品還是2003年時樓氏電子 （Knowles）開發的MEMS麥克風�！盓loy表示，“從那以后，都只是在整合度、更好的封裝等方面帶來漸進式創新。雖然這些也是非常重要的創新，但不是突破性的新產品。我們仍在等待MEMS開關、自動對焦和揚聲器等產品完全過渡到大量生產階段�！� 半導體產業已經找到可在競爭前的研究領域展開合作的方式了，而且已經有了發展良好的商用基礎架構來支持持續的成長，他表示�！癕EMS產業需要一些變革發生，以便簡化與加速設計過程，并盡快投入量產�！� “隨著到處都需要傳感器來實現物聯網、情境感知，尤其是對于新型生化與生醫傳感器的新興需求，我認為MEMS產業的發展的確才剛剛開始，”矽谷投資業者 Band of Angels SIG委員會主席Kurt Petersen表示�！皟r格將繼續下滑，但目前開發中的新型感測機制將大幅提高精度，”對于發展中的壓電麥克風、超音波手勢辨識以及新的慣性技術帶來巨 大的潛在影響——以更高10倍的精確度大幅改善導航資訊。 Peterson認為真正有用的穿戴裝置尚未被開發出來，但對于其未來的發展表示樂觀。最有發展前景的是現正開發中的新一類生化傳感器，例如新創公司Profusa的可植入式葡萄糖傳感器，外部光學裝置讀取，它利用一種可調式傳感器平臺，在人體內偵測化學藥物。 除了更好的生化和生醫傳感器以外，能量采集器是另一個機會�！澳芰坎杉鲗兊萌遮呏匾�，因為物聯網將為其提供一個巨大的市場，”他說。 MEMS新平臺推動成長 為了能以市場要求的最快上市時間與低成本，將這些新式的MEMS元件投入量產，推動半導體業開發出一些新的方法。 “過 去客戶求助于我們時通常要求采用他們自己的獨特制程，但現在有越來越多的客戶要求我們盡可能使用標準平臺，只需少量修改即可，”Teledyne Dalsa公司MEMS代工廠執行副總裁兼總經理Claude Jean表示。“一款產品采用一種制程的傳統做法還沒有被完全淘汰，但越來越多的客戶傾向于利用成熟的平臺來開發產品，”他補充道。 Dalsa公司正為慣性傳感器、微測輻射熱計、光學MEMS和壓電元件提供更廣泛的不同平臺，并盡可能地擴展自家的設計和測試支援業務。 新平臺技術也來自研發實驗室。法國原子能署電子暨資訊技術實驗室（CEA-Leti）的目標在于與代工廠合作，將其壓阻式MEMS平臺投入生產以提供給更多 客戶。這種技術在移動的物質利用》10？m的厚層，而將《500nm的超薄層用于邊緣的壓阻式元件，然后透過壓縮或拉緊改變電阻來檢測其運 動。 “這種技術為緊密地整合多個傳感器提供了替代性方法，可以協助像系統或CMOS制造商等缺少自有技術的新公司很快地開發出產品來�！盋EA-Leti北美策略合作夥伴副總裁Hughes Metras并指出，CEA-Leti已經與首家取得授權的業者Tronics迅速地將其六自由度慣性傳感器推向市場了。 如今，這些基本 技術的成熟還意味著MEMS市場開始從一些基于共同利益的合作中尋找優勢，特別是在一些設備要求或測試操作等方面。目前在測量慣性傳感器性能方面還沒有被 廣泛接受的標準，也沒有像ITRS路線圖那樣為設備制造商定義未來需求的手段，Teledyne Dalsa的Jean指出。 “目前在MEMS市場所要求的成本和可用的先進CMOS設備之間存在著巨大的差距�！彼J為，“不過，相較于為先進CMOS開發的制程，這還需要更簡單且更低成本的TSV制程等技術支援。” Teledyne Dalsa目前正與Alchimer合作開發低成本的濕式銅制程后鉆孔（Via-Last） MEMS TSV途徑。Teledyne DALSA的Via-Last技術采用銅鉆孔，并利用Alchimer的低溫電化學制程，形成具有5微米直徑x100微米深完美填充的穿孔，并利用銅再分 布層和鎳/金UBM連接到外部。但該制程目前僅適用200mm晶圓，因此，“我們需要MEMS制造商和設備與材料供應商之間展開更加密切的合作，共同開發 出更低成本的方法來推動創新進展�！彼硎�。 來源：eettaiwan |
