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低插入損耗、高線性度的全新RF電壓可變衰減器支持1MHz 到6GHz，擴展了IDT公司的頻率覆蓋范圍 IDT公司宣布其不斷擴大的射頻電壓可變衰減器（VVA）產(chǎn)品系列新增兩款新產(chǎn)品，使IDT公司RF產(chǎn)品的頻率覆蓋范圍擴大到1 MHz至6 GHz。與該產(chǎn)品系列中的其他成員一樣，F(xiàn)2255 和 F2258器件都可提供業(yè)界領先的低插入損耗和高線性度。 
IDT公司的電壓可變衰減器可為那些需要精確衰減的應用提供模擬電壓控制。兩款新器件采用緊湊的3 x 3mm，16引腳TQFN封裝，插入損耗僅為競爭解決方案的一半左右，而IP3性能比競爭的砷化鎵（GaAs）器件好1000倍（30 dB）以上，并且它們都在電壓控制范圍內(nèi)展示了dB線性（線性對數(shù)）衰減特性。這些器件的低插入損耗降低了射頻鏈路的損耗，而他們的高線性度則提升了系統(tǒng)的數(shù)據(jù)速率。 這些全新器件與目前流行的芯片大小匹配，理想適用于基站（2G，3G和4G）、微波基礎設施、公共安全、便攜式無線通信/數(shù)據(jù)設備、測試/自動測試設備（ATE）、軍用系統(tǒng)、聯(lián)合作戰(zhàn)無線系統(tǒng)（JTRS）以及HF、VHF和UHF無線電等應用。 IDT公司射頻事業(yè)部總經(jīng)理Chris Stephens介紹說：“與砷化鎵解決方案相比，IDT公司基于硅的RF產(chǎn)品可提供非常出眾的性能，如新器件高達30dB的線性度改善。這些器件是當今市場上具有最低插入損耗的VVA產(chǎn)品，并且具有最佳的線性衰減控制特性。” 通過使用基于硅的射頻半導體技術，IDT的衰減器提供了一種替代傳統(tǒng)砷化鎵半導體技術的可靠方案。IDT公司的硅技術具有更佳的RF性能、更強大的靜電放電（ESD）保護、更好的潮濕敏感度等級（MSL）、更高的散熱性能、更低的電流消耗、以及硅技術經(jīng)過驗證的可靠性等優(yōu)勢。 與引腳兼容的GaAs競爭方案比較，F(xiàn)2258具有高達65dBm的輸入IP3，而 GaAs競爭方案僅為35dBm，最大衰減斜率（slope）為33dB/V 對53dB/V ，6000MHz最低返回損耗為12.5dB對7dB，最高工作溫度為105℃對85℃。F2255器件支持的頻率范圍可低至1MHz，并具有33dB/V的最大衰減斜率。F2258和 F2255都具有雙向RF端口，支持3V或5V的單一正電源電壓供電，工作溫度范圍是- 40℃至105℃。 |
