国产毛片a精品毛-国产毛片黄片-国产毛片久久国产-国产毛片久久精品-青娱乐极品在线-青娱乐精品

新一代GaN功率放大器設(shè)計及測量

發(fā)布時間:2015-9-10 10:21    發(fā)布者:designapp
關(guān)鍵詞: GaN , MMIC , 功率放大器 , 分布式放大器
功率放大器是構(gòu)建新一代通信系統(tǒng)的核心組件,這類通信系統(tǒng)需要超寬的帶寬以支持高數(shù)據(jù)速率。為了設(shè)計一款高效的功率放大器,晶體管必須工作于開關(guān)模式之下,并且/或者具有反射端接諧波。然而,為了能在一個以上倍頻程帶寬下正常工作,在較低頻率下,諧波端應(yīng)在帶內(nèi)。此外,Bode-Fano帶寬理論認(rèn)為,對于給定的復(fù)合負(fù)載,可實現(xiàn)帶寬存在一個基本限值,該限值會降低目標(biāo)負(fù)載阻抗,進(jìn)一步偏離高效條件。

在本文中,我們將比較和對比兩種不同的寬帶高效功率放大器設(shè)計技術(shù)。一種設(shè)計采用一種非均勻分布式放大器拓?fù)浣Y(jié)構(gòu),完全集成于一個MMIC之中,其輸入和輸出匹配至50 Ω。另一種設(shè)計采用混合式設(shè)計技術(shù),在封裝中集成了橋接-T輸入匹配MMIC。本文將首先簡要描述電路制造工藝,然后逐一展示和討論各種設(shè)計拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)。

器件技術(shù)和工藝

這里使用的AlGaN/GaN HEMT器件基于TriQuint的0.25 μmGaN工藝TQGaN25,采用100mm SiC晶圓制成。這是一種TriQuint推出的大規(guī)模制造技術(shù)。在PAE匹配條件下,一個四指100μm柵極寬度晶體管(偏置電壓:Vd=40V,Id=100 mA/mm)的典型功率密度為5.5W/mm,10GHz時的PAE為60%。

分布式放大器設(shè)計

A. 電路設(shè)計

為了實現(xiàn)最高的功率和效率,我們選擇了非均勻分布式功率放大器(NDPA)拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)。NDPA不是以50Ω的阻抗端接漏極線路,而是采用了漸變傳輸線。為每條傳輸線路選擇特定的寬度,以便為每個單元提供最佳負(fù)載。在某些情況下,各個單元的器件尺寸也采用漸變設(shè)計。

由于目標(biāo)工作頻率為30MHz至2.7GHz,所以,我們選擇了5-單元設(shè)計,器件總周長為2.4mm,以實現(xiàn)功率、增益、帶寬和芯片尺寸的平衡。隨后,我們計算出了各單元的器件尺寸和傳輸線路阻抗。結(jié)果如表1所示。第一個單元的尺寸為1.2mm,其目的是實現(xiàn)功率和效率的最大化。其余單元尺寸相等,均為0.3mm。請注意,在表1中,有一列為各個單元的漏電流(Id)。該電流表示器件的最大驅(qū)動電流,設(shè)定了輸出走線的最小寬度。


表I:5單元NDPA的計算結(jié)果


圖1:10W高效分布式放大器MMIC示意圖。芯片的總尺寸2.4 mm×1.8mm。

MMIC成品如圖1所示。芯片的最終尺寸為2.4mm×1.8mm。為了支持最低30MHz的工作頻率,我們選擇了片外偏置選項。這種設(shè)計的一個特點是在第一單元輸出端使用了線圈。請參考前面的表1,處理450mA電流所需的最小寬度為30μm。然而,在100μm厚的SiC基板上,寬30μm線路的典型阻抗只有76Ω,離最佳負(fù)載100Ω還有很大的差距。然而,線圈實際上會通過互耦合的方式增大線路的有效阻抗,仿真條件下,該線路的阻抗為105Ω。這樣就可以實現(xiàn)高效運行。

B. MMIC測量值

我們把MMIC成品焊接在一塊厚40密耳的CuMo承板上,同時把RO4003板裝在MMIC周圍,以便進(jìn)行評估。我們對電路板上的50?走線進(jìn)行了去嵌入處理,使測量參考平面位于焊線的末端。如圖2所示,在30MHz至2.7GHz范圍內(nèi),典型增益為20dB,并且在相同頻率范圍內(nèi),輸入和輸出回波損耗為10dB或更低。


圖2:NDPA的實測小信號S參數(shù)值。MMIC在偏置于30V,360mA。


圖3:分布式放大器的實測Pout和PAE值。放大器以27dBm的恒定輸入功率驅(qū)動,偏置電壓Vd=30V,偏置電流Idq=360mA。

大信號測量值表明,結(jié)果良好。圖3所示為MMIC在整個頻率范圍內(nèi),在27dBm的恒定輸入功率(這相當(dāng)于約5dB的壓縮值)下的輸出功率和PAE。當(dāng)漏極電壓為30V時,MMIC在不超過2.5GHz的整個頻率范圍內(nèi)可產(chǎn)生大于10W的輸出功率,在不超過2.7GHz的范圍內(nèi),可產(chǎn)生8W或以上的輸出功率(功率密度超過4 W/mm),并且在整個頻段,PAE均優(yōu)于52%。在500MHz以下,MMIC可實現(xiàn)近70%的PAE。如此高的PAE源于第一個單元加載了高阻抗。請注意,這里展示的功率和PAE測量值只是在基頻輸出功率條件下得到的結(jié)果,不得用于計算功耗。要計算功耗,我們必須使用總功率,包括諧波下的所有功率。

混合分立式功率放大器設(shè)計

電路設(shè)計

我們前面展示的分布式放大器技術(shù)對MMIC效果明顯。然而,對于混合分立式設(shè)計來說,要實現(xiàn)多級是十分困難的。我們選擇采用一種橋接T拓?fù)浣Y(jié)構(gòu),將單個晶體管的輸入端匹配至50Ω。我們選擇了合適的晶體管的尺寸,以便輸出端的50Ω端口與其目標(biāo)負(fù)載線完好匹配,因此,放大器輸出端可以不匹配。我們選擇了一款周長為1.24mm的晶體管。另外,借助周長為2.48mm的晶體管也可實現(xiàn)不錯的負(fù)載線,其一般具有更高的效率和更低的功率密度。要進(jìn)一步優(yōu)化性能,可以在電路板級進(jìn)行更多匹配。MMIC成品如圖4所示。芯片的最終尺寸為1.277mm ×1.06mm。用周長為2.48mm的晶體管(本文中未討論)打造的另一款芯片的尺寸為1.277mm ×1.305mm(大23%)。


圖4:用于混合分立式功率放大器解決方案的MMIC成品圖(左)和原理圖(右)。

橋接T拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)是Zobel網(wǎng)絡(luò)的修改版,可以在輸入端提供恒定阻抗。用于匹配晶體管輸入端的拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)如圖4所示。該電路的匹配設(shè)計可在30MHz至2700MHz范圍內(nèi)提供良好的回波損耗性能。橋接T匹配的不足之處在于,網(wǎng)絡(luò)損耗較大。然而,在這些低頻下,晶體管擁有較大的增益,可以平衡掉這些損耗,從而使芯片在各種頻率下均能無條件保持穩(wěn)定。因此,對于該工作頻率,橋接T是一種非常合適的選擇,不會影響性能。

橋接T網(wǎng)絡(luò)的低頻性能在很大程度上取決于并聯(lián)網(wǎng)絡(luò)中的阻抗。為了在低頻下實現(xiàn)實部阻抗,需要使用一個較大的電容。為此,我們用一個焊盤連接一個片外電容(見圖4中的外部電容)。由于MMIC的輸入端已匹配至50 Ω,因此,輸入網(wǎng)絡(luò)不需要進(jìn)行其他匹配。此外,器件在尺寸設(shè)計上已在輸出端提供近50 Ω的負(fù)載線,因此,輸出匹配網(wǎng)絡(luò)只需要一個串聯(lián)L并聯(lián)C網(wǎng)絡(luò)以保障高頻性能,然后,在低頻下提供50Ω的負(fù)載阻抗以保障寬帶性能。輸入和輸出匹配網(wǎng)絡(luò)都采用了寬帶偏置網(wǎng)絡(luò),并部署在一塊4”×3”的應(yīng)用板上。

混合式放大器的測量值

我們在一塊用Rogers 4350B制成的電路板上對最終器件進(jìn)行了測試。50Ω匹配輸入表現(xiàn)良好,能在40MHz至2.7GHz的范圍內(nèi)實現(xiàn)10dB的回波損耗,在低至30MHz的頻率范圍內(nèi)實現(xiàn)7dB的回波損耗(圖5)。器件在低頻下實現(xiàn)12dB的增益,在高頻下實現(xiàn)17dB的增益。

在32V和脈沖條件下,放大器實現(xiàn)了5W的典型輸出功率(或者,4W/mm的功率密度),在1至2.7GHz范圍內(nèi)實現(xiàn)45%的功率附加效率(圖6)。我們選擇了脈沖而非CW工作模式,因為評估板限制了總功耗。另外,我們在1至2.7GHz范圍內(nèi)對數(shù)據(jù)進(jìn)行了測量,因為我們無法在1GHz以下構(gòu)建脈沖試驗臺。

討論

結(jié)果表明,兩款放大器均能在30~2700 MHz范圍內(nèi)工作,二者具有相似的輸出功率密度。完全匹配的MMIC在器件尺寸以及輸出功率的選擇方面表現(xiàn)出較大的靈活性,但其代價也比較大。另一方面,我們展示的混合式解決方案具有較為獨特,器件尺寸固定,因此對性能形成了限制;較小或大得多的晶體管都無法在整個帶寬范圍內(nèi)取得良好效果。但是,由于芯片尺寸非常小(為MMIC的1/4,但功率僅少一半),因此其代價更能令人接受。另外,最多可以使用兩倍周長的晶體管,可實現(xiàn)類似MMIC的性能,芯片尺寸增幅也不大(23%),并且混合式解決方案可使用外部元件進(jìn)行調(diào)整,以在特定頻段范圍內(nèi)實現(xiàn)更加優(yōu)化的性能。然而,MMIC解決方案由于要處理的寄生電容較少,所以可以實現(xiàn)卓越的性能。歸根結(jié)底,如果系統(tǒng)側(cè)重于打造一種低成本的解決方案,并且可以犧牲一定的性能,則混合式解決方案是更合適的選擇。然而,如果系統(tǒng)要求以較高的代價提供特定的性能,則MMIC解決方案是更好的選擇。盡管如此,實踐表明,兩種設(shè)計技術(shù)都是寬帶條件下的有效選擇。


圖5:混合MMIC分立式功率放大器的小信號S參數(shù)實測值。


圖6:混合式解決方案的實測Pout和漏極效率。放大器驅(qū)動至3dB壓縮點,所用脈沖寬度為100us,占空比為20%。

結(jié)論

本文介紹了兩種不同的放大器平臺,即全集成式MMIC和混合封裝式放大器,兩者均可在30 ~2700MHz范圍內(nèi)實現(xiàn)領(lǐng)先的性能。其實現(xiàn)方法是在MMIC上運用行波技術(shù),在混合式設(shè)計中,則是運用橋接T拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)使晶體管匹配至50Ω。兩種技術(shù)各有優(yōu)點,在性能和成本方面各有折衷。
本文地址:http://www.qingdxww.cn/thread-153322-1-1.html     【打印本頁】

本站部分文章為轉(zhuǎn)載或網(wǎng)友發(fā)布,目的在于傳遞和分享信息,并不代表本網(wǎng)贊同其觀點和對其真實性負(fù)責(zé);文章版權(quán)歸原作者及原出處所有,如涉及作品內(nèi)容、版權(quán)和其它問題,我們將根據(jù)著作權(quán)人的要求,第一時間更正或刪除。
您需要登錄后才可以發(fā)表評論 登錄 | 立即注冊

廠商推薦

  • Microchip視頻專區(qū)
  • 無線充電基礎(chǔ)知識及應(yīng)用培訓(xùn)教程2
  • 了解一下Microchip強(qiáng)大的PIC18-Q24 MCU系列
  • 想要避免發(fā)生災(zāi)難,就用MPLAB® SiC電源仿真器!
  • 為何選擇集成電平轉(zhuǎn)換?
  • 貿(mào)澤電子(Mouser)專區(qū)

相關(guān)視頻

關(guān)于我們  -  服務(wù)條款  -  使用指南  -  站點地圖  -  友情鏈接  -  聯(lián)系我們
電子工程網(wǎng) © 版權(quán)所有   京ICP備16069177號 | 京公網(wǎng)安備11010502021702
快速回復(fù) 返回頂部 返回列表
主站蜘蛛池模板: 加勒比综合 | 一区二区视频在线播放 | 日本精品一区二区三区四区 | 国产日韩高清一区二区三区 | 男人与女人交配 | 亚洲成人在线免费 | 国产亚洲精品一品区99热 | 亚洲精品免播放器在线观看 | 99热亚洲| 久久精品免费大片国产大片 | 5月色婷婷| 日韩欧美一区二区久久 | 啪啪免费视频网站 | 四虎影院网 | 免费一级欧美大片久久网 | 麻豆导航 | 成人二级片 | 99九九精品免费视频观看 | 久热精品在线视频 | 久久久久久久国产精品视频 | 三级视频网站 | 日韩免费观看 | 亚洲精品毛片久久久久久久 | 日本不卡专区 | 精品国产亚洲一区二区三区 | 热99精品只有里视频最新 | 国产成人精品曰本亚洲 | 亚洲成年网站在线777 | 欧美黑人成人www在线观看 | 黄色片视频在线观看免费 | 日本一区二区三区精品 | 一本大道久久香蕉成人网 | 最新亚洲人成网站在线影院 | 亚洲国产婷婷香蕉久久久久久 | 91香蕉视频免费在线观看 | 久久99精品久久久久久h | 一级做a爱片久久毛片 | 国产一级特黄aaa大片 | 国产午夜精品不卡观看 | 久热精品视频在线观看99小说 | 婷婷七月丁香 |