Diodes公司推出全新20V NPN及PNP雙極晶體管，它們采用超小型DFN1411-3表面貼裝封裝，能大大提升電源管理電路的功率密度和效率。該器件采用了Diodes第五代矩陣射極雙極工藝設計 (5 matrix emitter Bipolar process)。
這對互補性器件ZXTN26020DMF和ZXTP26020DMF的占位面積只有1.1 x 1.4毫米，離版高度為0.5毫米，有助于設計出極其纖巧的便攜式產品，還可改善產品的電性能及熱特性。 這些微型晶體管適用于MOSFET和IGBT柵極驅動、DC-DC轉換及一般開關工作，比體積更大的SOT23封裝元件更能節省空間，并體現盡善盡美的熱性能，其在占位面積最小的FR-4 PCB上的額定耗散功率僅為0.38W。 最新雙極器件的特點包括高增益、低飽和度及快速開關，并具有極高的連續電流處理能力。NPN和PNP器件的最大額定集電極電流分別為1.5A和–1.25A，超過目前所有封裝體積更小的器件。 |
