2016聚焦國內(nèi)3D-NAND Flash開發(fā)進度

亞光彩

【路之遙電子網(wǎng)訊】雖然全球半導(dǎo)體行業(yè)形勢嚴峻，但國內(nèi)相關(guān)行業(yè)廠商任能把握機遇，找準彎道切入點，根據(jù)DRAMeXchange2016數(shù)據(jù)表明2016年整體NAND Flash產(chǎn)值僅年增長0.2%，達266億美元， 而其中3D-NAND Flash開發(fā)進度為聚焦重點。

3D NAND技術(shù)與現(xiàn)有的2D NAND(納米制程技術(shù))截然不同，2D NAND是平面結(jié)構(gòu)而3D NAND是立體結(jié)構(gòu)，3D NAND結(jié)構(gòu)是以垂直半導(dǎo)體通道的方式排列，多層環(huán)繞式柵極(GAA)結(jié)構(gòu)形成多電柵級存儲器單元晶體管，可以有效的降低堆棧間的干擾。3D技術(shù)不僅使產(chǎn)品性能顯著提升，而且功耗可以大幅降低，在提升存儲密度的同時降低成本。

以三星的3D NAND產(chǎn)品為例，它比1x納米NAND Flash更加可靠，功耗更低，并且擁有隨機寫入功能。3D NAND Flash技術(shù)的出現(xiàn)及其帶來的市場格局變化，為我國集成電路制造企業(yè)進入主流存儲器制造領(lǐng)域提供了有利的契機。洪沨認為，相對于DRAM，后者對于后進者的技術(shù)和成本壁壘更高。

2016年是制程轉(zhuǎn)進以及產(chǎn)品結(jié)構(gòu)轉(zhuǎn)換的關(guān)鍵時期。特別是15/16納米在2015年第三季成為主流制程后，后續(xù)制程微縮的空間將面臨瓶頸，再加上三星早已量產(chǎn)3D-NAND Flash并成功打開在SSD的市占率，刺激其他NAND Flash廠商也陸續(xù)從今年第四季開始加速3D-NAND Flash的開發(fā)。DRAMeXchange預(yù)估2016年總晶圓投片量(12寸約當(dāng))達到1670萬片，年增長12%，而因3D-NAND Flash的開發(fā)加速進行，預(yù)估2016年位元供給率將較今年大幅增長50%，為近四年來新高。

楊文得表示，今年中國半導(dǎo)體廠商投資NAND Flash存儲相關(guān)公司的腳步加快，以及在NAND Flash上中下游產(chǎn)業(yè)鏈的布局日趨完整，未來3-5年中國廠商以及中國市場將對NAND Flash產(chǎn)業(yè)的變化扮演關(guān)鍵地位。

受十三五規(guī)劃以及相關(guān)政策的影響，在存儲芯片領(lǐng)域國內(nèi)今年發(fā)展迅速，三星NAND Flash產(chǎn)業(yè)在西安設(shè)廠就是其中之一。一直以來，中國的存儲芯片產(chǎn)業(yè)基本空白，幾乎100%依賴進口。三星、美光、東芝、海力士等企業(yè)壟斷的存儲器市場高達800億美元，占據(jù)全球95%以上的市場份額。而中國每年進口的存儲芯片就占55%的全球市場份額。

隨著全球存儲器產(chǎn)業(yè)的技術(shù)持續(xù)更新，對單顆芯片容量的密度要求越來越大。因而國內(nèi)廠商因緊抓機遇，實現(xiàn)3D-NAND Flash開發(fā)的“彎道超車”，以填補存儲芯片領(lǐng)域的空白。