FM14C88 F-RAM并口儲存器（Ramtron）

發布時間：2009-9-1 14:16 發布者：admin

Ramtron推出并口F-RAM存儲器FM14C88，適合RAID(磁碟陣列)存儲服務器及主機總線適配卡 (HBA card) 等應用。

與nvSRAM相比，FM14C88的讀寫速度更快, 工作電壓更低。FM14C88 的容量為256Kb、工作電壓為2.0至3.6V，采用工業標準300mil寬度的32腳SOIC封裝，具有高速訪問、無延遲(NoDelay) 寫入、幾乎無限的讀寫次數及低功耗等特點，是取代BBSRAM (電池供電的SRAM) 或非易失性SRAM (nvSRAM)等存儲器的理想方案。

32K x 8 的標準并口非易失性鐵電隨機存取存儲器 (F-RAM)，讀寫操作與標準SRAM相似，能夠在斷電后保存數據，并提供超過635年(55℃) 的數據保存能力，消除BBSRAM (電池供電的SRAM) 或非易失性SRAM (nvSRAM)方案中電池，電容的不可靠性、高成本和設計復雜性等問題。F-RAM具有寫入速度快，幾乎無限的讀寫次數 (寫入次數大約為1014次) 等特點，使其成為RAID存儲服務器及工業自動化等應用的理想選擇。

FM14C88 在系統內的工作方式與其它 SRAM 器件類似，可以用作標準 SRAM的兼容替代器件。只需開啟芯片的使能引腳或改變地址，就可進行讀寫操作。由于F-RAM存儲器采用獨特的鐵電存儲器工藝，具有非易失性的特點，所以非常適合需要頻繁或快速寫入數據的非易失性存儲應用。FM14C88可在整個工業環境溫度范圍(-40°C至 +85°C)工作。

FM14C88 F-RAM器件的特性包括：

• 無延遲 (NoDelay) 寫入
• 頁面模式工作頻率高達33MHz
• 無需大型存儲電容器，不存在與電容相關的品質和成本問題
• 即時進行非易失性寫入操作
• 上電恢復時間為250 s，比nvSRAM快100倍
• 引腳和功能與CY14B256L和STK14C88-3兼容
• 60 ns存取時間，90 ns讀寫周期時間
• 電源電壓2.0V – 3.6V
• 90 A待機電流 (典型值)
• 7 mA工作電流 (典型值)
• 32腳“綠色”/RoHS SOIC封裝

FM14C88 并口存儲器已獲得全球著名RAID供應商選用，其高性能、高可靠性和低成本的優勢已獲得業界公認。

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