Hynix成功研發世界最高性能移動DRAM

發布時間：2009-4-30 17:01 發布者：比爾蓋

關鍵詞： DRAM , Hynix , 世界 , 性能 , 研發

　　韓聯社4月27日電稱，Hynix(海力士)半導體成功研發采用54納米技術的世界最高性能的1Gb移動低電雙倍速率(LPDDR2)動態隨機存儲器(DRAM)產品。Hynix表示，該產品是世界上第一款可以在平均1.2伏的低電壓下實現1066Mbps超高速數據傳輸速度的移動DRAM，在工藝技術、電壓、速度方面具備世界最高性能。

　　據介紹，該產品可在平均1.2伏、最低1.14伏的低電壓下工作，接近于現有的1.8伏移動DRAM的50%，并且僅為PC DDR2產品的30%。這意味著，1秒內下載5、6部普通長度的電影成為可能，堪稱世界最高水平的數據傳輸速度。

　　韓聯社表示，該產品待機耗電量低，又具有很高的速度，適合超移動電腦(UMPC)、便攜式媒體播放器(PMP)、手機等移動互聯網設備、上網筆記本電腦、高性能智能手機等，還可提供符合相關產品的”單芯片解決方案”功能。

　　Hynix計劃今年第三季度開始生產新產品，明年初推出40納米級LPDDR2產品，并在明年將其在移動LPDDR2市場的份額擴大30%以上。

　　目前Hynix半導體是世界第二大DRAM制造商。

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