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ST推出新款的MDmesh MOSFET,內置快速恢復二極管,提升高能效轉換器的功率密度

發布時間:2017-5-22 16:36    發布者:eechina
意法半導體推出最新的MDmesh Dk5功率MOSFET管,內部增加一個快速恢復二極管的甚高壓(VHV)超結晶體管,這樣結構有助于設計人員最大限度提升各種功率轉換拓撲的能效,包括零壓開關(ZVS)LLC諧振轉換器。



作為超結MOSFET管,新產品額定電壓范圍950V至1050V,開關性能、導通電阻(RDS(ON))和硅單位面積流過的額定電流等技術參數均優于平面結構的普通MOSFET晶體管。在大功率設備用功率轉換器內,例如高總線電壓的電信服務器或數據中心服務器、工業電焊機、等離子發電機、高頻感應式加熱器和X射線機內,意法半導體的新產品讓設計人員能夠提升應用能效,減少并聯器件數量,從而提高功率密度。

內部快速恢復體二極管讓新產品能夠提升零壓開關LLC諧振轉換器的能效,滿足應用對寬壓輸入和高能效的要求。其它類型的橋式轉換器以及電池充電升壓DC/DC轉換器也將受益于新產品的低損耗和高動態性能。與市面現有的內置快速恢復二極管的甚高壓MOSFET相比,意法半導體DK5產品兼備最短的反向恢復時間(trr)、最低的MOSFET柵電荷量(Qg)和導通電阻RDS(ON),以及超結產品中良好的輸出輸入電容(Coss, Ciss)。

DK5系列產品擴大了意法半導體的甚高壓超結晶體管產品陣容,覆蓋800V至1500V電壓范圍,新增六款TO-247、TO-247長腳、Max247和ISOTOP功率封裝產品。STWA40N95DK5、STY50N105DK5和STW40N95DK5已經開始量產。

產品詳情訪問www.st.com/mdmeshdk5

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