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全球領先的大學半導體研究機構Semiconductor Research Corporation (SRC)和耶魯大學的研究人員宣布，他們開發(fā)出了一種采用鐵電層的DRAM單元，可顯著提高DRAM技術的市場競爭力。 早期結構表明，研究人員發(fā)現了在DRAM單元中施用鐵電材料的方法，因此可省去常規(guī)DRAM中的存儲電容。鐵電DRAM（FeDRAM）是一個無電容單元，其單元結構非常類似于CMOS晶體管，只是其門極采用鐵電體材料而不是傳統(tǒng)的電介質材料。 與常規(guī)的DRAM單元相比，FeDRAM的結構更簡單，可延展性更強，尺寸更小，保持時間更長，耗電更低，每個單元可能存儲多個比特。此前，DRAM不能在一個單元中存儲多比特。這是flash存儲器所獨有的。 參與研究的馬教授稱，FeDRAM結構有很多優(yōu)勢。FeDRAM 可令器件通過門電壓脈沖編程和擦除。由于充電保留比常規(guī)的DRAM長至少1000倍，所以不用經常刷新。其電路結構很像flash存儲器，這方便于生產制造。由于能夠采用現存的生產設施，所以遷移到FeDRAM和容易。 |
