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美高森美公司(Microsemi) 宣布提供采用碳化硅(SiC) 二極管和MOSFET器件的全新可擴展30 kW三相Vienna功率因數校正(PFC)拓撲參考設計。這款可擴展的用戶友好解決方案由美高森美與北卡羅萊納州立大學(NCSU)合作開發，非常適合快速電動車(EV)充電和其它大功率汽車和工業應用；此外，它亦可通過美高森美功能強大的SiC MOSFET和二極管，為客戶提供更高效的開關以及高雪崩/高重復性非鉗位感性開關(UIS)能力和高短路耐受額定值。美高森美將參展6月5日至7日在德國紐倫堡展覽中心舉行的PCIM歐洲電力電子展，在6號展廳318展臺展示有源整流器PFC參考設計以及SiC產品系列中的其它解決方案。 美高森美副總裁兼分立和電源管理部門經理Leon Gross表示：“汽車市場不斷變化，混合動力車(HEV)和電動車日益增加，SiC器件可以使得這些車輛提高效率，行走更遠路程。這繼續推動了市場對我們產品組合中的這些SiC器件以及其它高可靠性產品的高需求。在過去幾年來成功發布SiC MOSFET和二極管產品組合后，我們新推出的三相三開關三電平PFC參考設計是一個具體示例，說明如何在要求嚴苛的應用中利用這些部件，展示其穩健性、高性能和整體價值。” 
美高森美的用戶友好30 kW三相PFC參考設計包括用于其下一代SiC二極管和MOSFET的設計文件、開源數字控制軟件和用戶指南。與單相PFC和兩電平六開關升壓脈寬調制(PWM)整流器設計相比，該拓撲結構具有多項優勢，包括在連續導通模式下工作的失真極低，并可降低約98%的電源器件開關損耗；與Si/IGBT解決方案相比，它還具有高效率和緊湊外形尺寸的優勢。 該參考設計還提供詳細的3D機械和散熱設計，并帶有集成的風扇和冷卻通道以降低熱阻和縮小總系統尺寸。其印刷電路板(PCB)布局在開發時已考慮了安全性、電流應力、機械應力和抗噪聲能力。參考設計包帶有可立即使用的硬件和經過驗證的開源軟件，可降低大功率開關設計的技術風險，同時加快產品上市。 除了適合快速EV/HEV充電器和適用于汽車和工業市場大功率三相電源外，美高森美全新有源三相PFC參考設計還可以用于醫療、航天、國防和數據中心市場。這款參考設計補充了面向HEV/EV充電、插電/感應式車載充電器(OBC)、DC-DC轉換器和電動車動力系統/牽引控制、光伏(PV)逆變器和作動器應用美高森美整體SiC解決方案組合。 包括IndustryARC和Technavio在內的市場研究機構預計，電動車電力電子市場到2021年的年復合增長率(CAGR)將達到19%至33%。包括SiC器件在內的寬帶隙半導體器件具有高工作溫度能力和高效率，因此在EV動力傳送、DC-DC轉換器、充電和開關電源應用中的使用將會與日俱增。 6月5日至7日在PCIM展會6號展廳318展臺進行演示 美高森美產品專家將在PCIM展會期間于公司展臺上演示全新Vienna PFC參考設計和美高森美SiC解決方案。如要了解更多的信息或要求安排展會會面，請訪問公司網頁https://www.microsemi.com/details/346-pcim-europe。 產品供貨 美高森美現在提供PFC參考設計，如要了解更多信息，請訪問公司網頁 https://www.microsemi.com/product-directory/discretes/3613-silicon-carbide-sic 或聯絡 sales.support@microsemi.com。 |
