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1 引言 FIFO(First In First Out)是一種具有先進先出存儲功能的部件。在高速數字系統當中通常用作數據緩存。在高速數據采集、傳輸和實時顯示控制領域中．往往需要對大量數據進行快速存儲和讀取，而這種先進先出的結構特點很好地適應了這些要求，是傳統RAM無法達到的。 許多系統都需要大容量FIFO作為緩存，但是由于成本和容量限制，常采用多個FIFO芯片級聯擴展，這往往導致系統結構復雜，成本高。本文分別針對Hynix公司的兩款SRAM和DRAM器件，介紹了使用CPLD進行接口連接和編程控制，來構成低成本、大容量、高速度FIFO的方法。該方法具有通用性,可以方便地移植到與其他RAM器件相連的應用中去[1]。 2基于SRAM的設計與實現 2．1 SRAM結構芯片HY64UD16322A 靜態隨機存取存儲器SRAM(Static Random Access Memory)是一種非常重要的易失性存儲器，它的速度非常快，并且能在快速讀取和刷新時保持數據完整性。本系統SRAM器件采用Hynix公司的HY64UD16322A[2]。HY64UD16322A是高速、超低功耗32 Mbit SRAM，內部具有2 097 152個16 bit字容量。采用了CMOS制造工藝、TTL電平接口以及三態輸出，具有較大的輸入電壓和溫度范圍。同時HY64UD16322A支持DPD(Deep Power Down)模式，保證其在待機模式下功耗進一步降低。 2．2系統硬件設計 整個系統采用CPLD作為控制核心器件。CPLD選用Altera公司的MAX7128AETC100-5[3]。MAX7128基于Altera公司第二代MAX乘積項結構，是采用CMOS EEPROM技術制造的EPLD，它集成了2 500個可用門，128個宏單元以及100個I／O引腳。 圖1是HY64UD16322A內部結構以及與CPLD接口設計的系統連接圖。可以看出，HY64UD16322A由地址譯碼、邏輯控制模塊以及大容量存儲陣列組成。CPLD接收到FIFO控制信號．按照該SRAM讀寫時序要求完成相應的讀寫操作．再通過所構造FIFO的數據輸入輸出和狀態控制接口返回。 
2．3指針算法程序設計 系統采用CPLD作為總控制器件。根據FIFO的特點，需要將SRAM按地址存儲用程序控制成先進先出的結構。這里采用指針算法來實現這種結構設計：設置兩個指針變量StartPos和EndPos．分別作為進入數據頭尾指針。當有新數據寫入時，數據從上一次存儲最后位置的下一個位置開始存放．存入一個數據．EndPos就自動加1，保持與最后數據位置同步。當EndPos超過整個RAM的最大容量(RAM_SIZE)時，就需要循環返回，從0x000位置存放，一直到EndPos與StartPos重合。這時可以認為RAM已經存滿。同理，讀出數據時。起始位置StartPos自動加1。當StartPos超過整個RAM的最大容量時，就從0x000位置讀取。一直到StartPos與EndPos重合，這時可以認為RAM已經讀空。在這兩個過程當中，CPLD需要對地址線進行控制．不難發現，寫數據的時候Address與EndPos一致，讀數據的時候Address與StartPos一致。圖2是整個系統寫和讀時序控制的流程圖。
2．4時序控制 寫入數據的時候，CPLD需要模擬FIFO基本的寫操作時序：CPLD接收到nWEN(寫使能，低有效)和WCLK(寫時鐘，上升沿有效)，即當nWEN為低，WCLK為上升沿時，將當前I／O上的數據寫入。在數據寫入RAM的時候．CPLD應按照HY64UD16322A的寫時序來控制寫操作。這里，CPLD首先按照上述流程計算出當前數據應存放的地址，然后控制nWE信號，nWE為低時，數據自動寫入RAM。然后再寫下一位數據。整個寫時序如圖3所示。
同理．CPLD接收到nREN(讀使能，低有效)和RLCK(讀時鐘，上升沿有效)時。將最先寫入的數據讀出。這里．CPLD首先按照讀數據流程計算出當前讀出數據存放地址．然后控制nOE信號(低電平有效)，數據自動讀出RAM。然后再進行下一位數據讀出操作。 可以看出，影響所構建FIFO讀寫速度的關鍵因素是tWc，該參數也是決定HY64UD16322A速度的主要因素，因此．所構建FIFO的理論速率應該接近HY64UD16322A的速率。 3 基于DRAM的設計與實現 3．1 DRAM結構芯片HY57V281620E 一般來說。動態隨機存取存儲器DRAM(Dynamic Random Access Memory)是由大的矩形存儲單元陣列與用來對陣列讀和寫的支持性邏輯電路，以及維持存儲數據完整性的刷新電路組成。盡管操作較SRAM復雜,但由于DRAM具有每存儲位單元低成本和高密度的優點，使得它們成為商業領域最廣泛使用的半導體存儲器。本系統的DRAM芯片采用Hynix公司的134 217 728 bit同步DHY57V281620E[4]。它由4塊2 097 152x16 bit組成。采用了CMOS制造工藝．LVTTL電平接口。 3．2系統硬件設計 同樣采用MAX7128AETC100-5完成系統控制。HY57V281620E內部結構以及與CPLD接口的系統連接圖。接口控制原理類似2．2所述。不同的是，HY57V281620E內部由行列地址譯碼、多塊大容量存儲單元陣列和一些邏輯控制模塊組成。 3．3程序設計 這里，主要采用2．3中設立頭尾兩個指針的思想。與SRAM不同的是，DRAM采用的矩形存儲單元陣列是由行線和列線來控制，并且內部采用分塊結構．這里HY57V281620E由4塊存儲單元組成．通過BA1和BA0來控制。在寫數據操作的時候，當存放數據長度超過當前存儲單元容量時，需要CPLD切換至下一存儲塊進行存儲，同樣，讀操作的時候也存在這種操作，即如果StartPos或者EndPos超過了存儲塊容量．這里是2 097 152，則通過一個模4計數器控制切換至下一個存儲塊。 3．4時序控制 寫入(或讀出)數據的時候，CPLD需要模擬FIFO基本的寫(或讀)操作時序：CPLD接收到nWEN(nREN)和WCLK(RCLK)，即當。nWEN(nREN)為低，WCLK(RClK)為上升沿時，將當前I／O上的數據寫入(讀出)。在數據寫入(讀出)RAM的時候，CPLD應按照HY57V281620E器件的寫(讀)時序來控制寫(讀)操作：CPLD首先控制nRAS從高電平變至低電平，選擇行地址。再通過控制nCAS選擇列地址。這里，當寫入(或讀出)數據在同一塊當中進行，可以保持nRAS低電平，連續選擇多列數據操作(也稱作快頁模式讀寫)。當數據地址超過塊容量，則需要重新選擇行地址，然后再進行連續多列數據讀寫操作。讀寫使能控制和SRAM類似，通過nOE和nWE(低有效)來控制。 圖5是DRAM主要讀寫控制時序。可以看出，影響所構建FIFO讀寫速度的主要因素是tPC，這也是決定DRAM速率的關鍵所在，因此，所構建FIFO的理論速度也應該接近DRAM最高頻率。同時，還必須考慮DRAM的刷新操作。這里，系統采用nCAS先于nRAS的方式(CBR)，即控制nCS、nCAS、nRAS，并保持nWE為高電平，利用芯片內部計數器決定要被刷新的行。HY57V281620E提供了這種自刷新模式，刷新速率由tREF來決定，通常為64 ms。在系統或某存儲塊長時間無操作的情況下，需要定時刷新，以保持數據完整。
4實驗結果和分析 圖6是用QuartusIl4．0根據2．3中設立的頭尾指針算法設計仿真出來的時序波形。可以看出．系統從0x000底開始寫數據，當寫入3個數據時。EndPos增加到0x003，再進行3個數據讀操作，即StartPos增加到0x003，此時，所構建的FIFO是讀空狀態，可以看到讀空信號Empty在這時變為高電平，達到FIFO設計所需要求。
還需要注意：由于所采用的RAM只采用一個數據總線作為輸入輸出，因此在寫數據的時候不能進行讀操作。而常用FIFO器件可以同時讀寫。所以．如果要在同一時間內進行讀和寫操作，那么需要在一個FIFO讀寫時鐘周期內對RAM進行讀寫等多個操作，這時所構建的FIFO速率將降低。 此外．在與DRAM構建高速FIFO時，由于存儲塊選擇需要一定時間操作，因此跨塊存儲操作在頻率較高時會影響正常的數據讀寫，出現個別數據丟失情況。而且當某段時間進行刷新操作時，有突發數據需要讀或寫，這時不允許中斷。解決這種問題的辦法是用一個I／O引腳(nREADY)標識出當前所構建的FIFO是否可讀寫，如果有上述情況發生，則nREADY為高，可以讀寫時為低。 常用的FIFO器件還有半滿、接近滿、接近空等狀態指示，可以在上述構建FIFO的基礎上加上簡單的邏輯控制，計算StartPos和EndPos之間的差值，根據當前是寫操作還是讀操作來指示。其他狀態信號也可以通過CPLD經由邏輯運算很方便地實現。同時，讀和寫同步時鐘可以不一致。這樣就可以很方便地構成同步或者異步兩種FIFO，具有很好的可擴展性。 5 結束語 現在，SRAM的數據傳輸速率可以達到10 ns以內，DRAM要比SRAM稍慢一些。因此。SRAM通常用于高速緩沖存儲．而DRAM則通常用來存儲較大的數據。從成本來考慮，DRAM比SRAM成本要低得多。 采用本文給出的結構和設計思想，避免了以往主CPU接管RAM時的一系列復雜讀寫操作，而直接類似FIFO使用，接口簡單方便，而且避開了傳統FIFO器件容量和成本的限制。本文通過理論分析，實際電路設計調試，已成功實現用兩種不同結構的RAM構建FIFO，并應用于多個實時高速信號采集系統中。 |
