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半導體三極管，也稱為晶體管，它是由三層半導體制成的兩個PN結組成。從三塊半導體上各引出一根導線是晶體管的三個電極，它們分別叫做發射極e，基極b和集電極c。每塊對應的半導體稱為發射區，基區和集電區。 從本質上分辨，可以通過分辨發射區，基區，集電區，分辨發射極e，基極b，和集電極c。因為這三個電極都是三極管中各區導線牽出去的。 發射區和集電區均為N型半導體，不同的是，發射區比集電區摻入的雜質多，在幾何尺寸上，集電區的面積要遠比發射區的大。而基區在發射區和集電區之間。 簡化電路中一般用“Y"型來表示，一般都會有標識，其中b就是基極，e就是發射極，c是集電極。 如果沒有標識，同樣是“Y"交叉處為基極，然后“Y”有箭頭出來的是發射極，另一個自然就是集電極了。 分辨三極管各極的方法大概就是這樣了，如果有幫到你的話請投票點贊哦！ BSO094N03S www.dzsc.com/ic-detail/9_10424.html技術參數 品牌：INFINEON 型號：BSO094N03S 批號：19+ 封裝：SOP8 數量：250000 系列：OptiMOS?? 包裝：帶卷（TR） 零件狀態：Digi-Key已不再提供 FET類型：N溝道 技術：MOSFET（金屬氧化物） 漏源極電壓（Vdss）：30V 電流-連續漏極（Id）（25°C時）：10A（Ta）不同Id時的Vgs（th）（最大值）：2V@30?A不同Vgs時的柵極電荷 （Qg）（最大值）：18nC@5V不同Vds時的輸入電容（Ciss）（最大值）：2300pF@15VFET功能：-功率耗散（最大值）：1.56W（Ta）不同 Id，Vgs時的 RdsOn（最大值）：9.1毫歐@13A，10V工作溫度：-55°C~150°C（TJ）安裝類型：表面貼裝(SMT)供應商器件封裝：PG-DSO-8封裝/外殼：8-SOIC（0.154"，3.90mm寬） 晶體管極性: N-Channel Vds-漏源極擊穿電壓: 30 V Id-連續漏極電流: 10 A Rds On-漏源導通電阻: 9.1 mOhms Vgs - 柵極-源極電壓: 20 V 最小工作溫度: - 55 C 最大工作溫度: + 150 C Pd-功率耗散: 1.56 W 配置: Single 通道模式: Enhancement 封裝: Cut Tape 封裝: Reel 高度: 1.75 mm 長度: 4.9 mm 晶體管類型: 1 N-Channel 寬度: 3.9 mm 商標: Infineon Technologies 下降時間: 4.4 ns 產品類型: MOSFET 上升時間: 4.4 ns 工廠包裝數量: 2500 子類別: MOSFETs 典型關閉延遲時間: 22 ns 典型接通延遲時間: 5.4 ns 零件號別名: BSO094N03SXT 單位重量: 540 mg |
