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賓夕法尼亞、MALVERN — 2011 年 3 月 14 日 — 日前，Vishay Intertechnology, Inc.（NYSE 股市代號：VSH）宣布，推出采用0.6mm超低外形的熱增強Thin PowerPAK® SC-70封裝的新款30V N溝道---SiA444DJT和20V P溝道TrenchFET®功率MOSFET---SiA429DJT。在2mm x 2mm的占位面積內，新的SiA444DJT實現了N溝道MOSFET當中業內最低的外形，而高度不到0.8mm的SiA429DJT具有P溝道器件中最低的導通電阻。 如果手持設備需要比標準0.8mm更薄的N溝道MOSFET，高度為0.6mm的SiA444DJT可以滿足要求，其高度比次薄的2mm x 2mm器件小13%，比標準的0.8mm高度小19%。此外，該MOSFET在10V和4.5V下具有17mΩ和22mΩ的低導通電阻，最大導通電阻與柵極電荷乘積是衡量MOSFET在DC/DC轉換器應用中的優值系數(FOM)，該器件在10V和4.5V下具有170mΩ-nC和110mΩ-nC的業內最低FOM。 SiA429DJT在4.5V、2.5V、1.8V和1.5V下具有20.5mΩ、27mΩ、36mΩ和60mΩ的業內最低導通電阻，足以勝任應用對更薄P溝道器件的要求。該器件在1.8V下的導通電阻比最接近的競爭器件小12%，包括標準0.8mm外形的MOSFET和所有2mm x 2mm的P溝道MOSFET。對于手持式電子設備，SiA429DJT和SiA444DJT更低的導通電阻意味著更低的傳導損耗，從而延長在充電周期之間的電池壽命。 SiA444DJT和SiA429DJT所采用的超薄Thin PowerPAK SC-70封裝針對手機、智能手機、MP3播放器、數碼相機、電子書和平板電腦等小型手持式電子設備進行了優化。在這些設備中，SiA444DJT可用于高頻DC/DC轉換器，而SiA429DJT是負載開關或充電開關的理想之選，還可以在DC/DC降壓轉換器應用中用作高邊開關。 這些MOSFET經過了100%的Rg測試，符合IEC 61249-2-21的無鹵素規定及RoHS指令2002/95/EC。 新款SiA444DJT和SiA429DJT TrenchFET功率MOSFET現可提供樣品，并已實現量產，大宗訂貨的供貨周期為十二周到十四周。 
VISHAY簡介 Vishay Intertechnology, Inc. 是在紐約證券交易所上市（VSH）的“財富1,000 強企業”，是全球分立半導體（二極管、MOSFET和紅外光電器件）和無源電子元件（電阻器、電感器、電容器）的最大制造商之一。這些元器件可用于工業、計算、汽車、消費、電信、軍事、航空航天、電源及醫療市場中幾乎所有類型的電子設備和裝備。憑借產品創新、成功的收購戰略，以及“一站式”服務使Vishay成為了全球業界領先者。有關Vishay的詳細信息，敬請瀏覽網站 www.vishay.com。 |
