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IoT RAM即是物聯網RAM,是基于PSRAM技術的技術，它增加了其他接口選項，例如大多數MCU/FPGA使用的低引腳數Flash SPI接口，以及SoC需要的易于使用的系統級封裝（SiP）選項比內部SRAM更大的內存。 物聯網ram繼承了PSRAM的積極特性-結合了一個相對簡單的SRAM接口和DRAM存儲單元技術，該接口簡化了產品設計，與SRAM相比降低了產品成本（降低了10倍），并且與SRAM相比具有更高的密度10倍IoT RAM還具有低延遲–允許從超低功耗模式快速喚醒和快速上電時間；也可以從待機模式瞬時喚醒；IoT RAM還允許超低電流消耗–通常<0.15至0。5uA/Mb取決于密度。密度越高，固定功率開銷趨勢就越低。 圖1 IoT RAM在需要擴展內存的IoT/嵌入式應用程序中占據了最佳中間地帶 由于PSRAM解決了與IoT/嵌入式應用中類似的設計約束，因此可以在功能電話產品中找到一席之地。物聯網RAM基于PSRAM并通過低引腳數SPI或SiP選項進行接口，是需要性能，低成本和響應性的基于MCU/SoC/FPGA的功率受限解決方案的理想選擇。利用低引腳數的SPI接口，可以進一步提高基于MCU/SoC/FPGA的設備的系統成本效率。 AP Memory具有成本效益的IoT RAM解決方案與大多數MCU/SoC/FPGA隨附的SPI接口兼容，包括Quad-SPI和Octal-SPI接口。通過“系統級封裝”（SiP）選項，AP內存啟用了“超越摩爾”，這是增加系統內存的另一種方法。業界領先的半導體供應商AP Memory授權英尚微電子成為其核心一級代理商，提供的IoT RAM器件具有高速，低引腳數接口，它最適合于低功耗和低成本便攜式應用。 AP Memory IoT RAM型號表
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| IoT RAM即是物聯網RAM,是基于PSRAM技術的技術，它增加了其他接口選項，例如大多數MCU/FPGA使用的低引腳數Flash SPI接口，以及SoC需要的易于使用的系統級封裝（SiP）選項比內部SRAM更大的內存。 |
| 物聯網ram繼承了PSRAM的積極特性-結合了一個相對簡單的SRAM接口和DRAM存儲單元技術，該接口簡化了產品設計，與SRAM相比降低了產品成本（降低了10倍），并且與SRAM相比具有更高的密度10倍IoT RAM還具有低延遲–允許從超低功耗模式快速喚醒和快速上電時間 |
| 物聯網RAM基于PSRAM并通過低引腳數SPI或SiP選項進行接口，是需要性能，低成本和響應性的基于MCU/SoC/FPGA的功率受限解決方案的理想選擇。 |
