eMRAM究竟是融合還是替代？
發布時間：2020-4-1 13:48
發布者：
英尚微電子
eMRAM屬于新型存儲技術，同目前占據市場主流的NAND閃存相比較，其具有更快的存取速度和更高的耐用性，在邊緣設備中具有替代NAND閃存和部分SRAM芯片的潛質。它在22nm的工藝下投產，將會加快新型存儲技術的應用進程，未來發展前景將被看好。
新型存儲器芯片具有更快的存取速度和更好的耐用性，更小的裸片尺寸及成本和功耗等性能優勢。例如以統合式 MRAM解決方案取代微控制器中的eFlash和SRAM，可節省90%的功耗。不過目前下一代存儲器在量產制程方面仍然存在很多瓶頸。
eMRAM等新型存儲器芯片將會取代DRAM和NAND FLASH成為市場主流嗎？eMRAM只會取代部分DRAM和NAND的使用量，但仍是沒有辦法完全取代現有的存儲器解決方案。在所有新一代存儲器芯片中，eMRAM的電信特性與DRAM和NAND Flash來說是極其的相似，具備一定的優缺點，并未具備完全的替代DRAM和NAND Flash的性能。使用新一代存儲器芯片對于傳統平臺來說，需要改變以往的平臺架構才能適應，并不是可以輕松使用的。。
也就是說新一代存儲器想要獲得一定的市場空間，還需要與現有的存儲器芯片解決方案進行配合，加快適應傳統平臺的架構，釋放性能方面的優勢。行業領先半導體供應商的EVERSPIN致力于生產研發MRAM，eMRAM存儲芯片,滿足市場的一切需求。制造和商業銷售離散和嵌入式磁阻RAM（MRAM）和自旋傳遞扭矩MRAM（STT-MRAM）的全球領導者，在包括40nm，28nm及更高技術節點在內的先進技術節點上進行了全包交鑰匙的300mm大批量平面內和垂直MTJ ST-MRAM和eMRAM生產中.
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英尚微電子 發表于
2020-4-1 13:49:21
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eMRAM屬于新型存儲技術，同目前占據市場主流的NAND閃存相比較，其具有更快的存取速度和更高的耐用性，在邊緣設備中具有替代NAND閃存和部分SRAM芯片的潛質。 |
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英尚微電子 發表于
2020-4-1 13:50:01
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新型存儲器芯片具有更快的存取速度和更好的耐用性，更小的裸片尺寸及成本和功耗等性能優勢。例如以統合式 MRAM解決方案取代微控制器中的eFlash和SRAM，可節省90%的功耗。 |
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英尚微電子 發表于
2020-4-1 13:51:53
行業領先半導體供應商的EVERSPIN制造和商業銷售離散和嵌入式磁阻RAM（MRAM）和自旋傳遞扭矩MRAM（STT-MRAM）的全球領導者，在包括40nm，28nm及更高技術節點在內的先進技術節點上進行了全包交鑰匙的300mm大批量平面內和垂直MTJ ST-MRAM和eMRAM生產中.英尚微電子作為核心授權代理商,為各行業領域提供了優質的產品供應.
Everspin MRAM產品介紹.pdf
(1.05 MB)
2020-4-1 13:51 上傳
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