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關(guān)于召開“第三代半導(dǎo)體技術(shù)、材料、設(shè)備與市場論壇2020”的通知

發(fā)布時間:2020-7-27 10:04    發(fā)布者:JoannaChen
關(guān)鍵詞: 第三代半導(dǎo)體 , GaN , SiC , 廈門
日期:2020-09-08
地點(diǎn):廈門
網(wǎng)址: http://idepwa1pt9m7lqzd.mikecrm.com/lMNIpvd
與第一代和第二代相比,第三代半導(dǎo)體材料具有更寬的禁帶寬度、更高的擊穿電場、更高的熱導(dǎo)率、更大的電子飽和度以及更高的抗輻射能力,更適合制造耐高溫、高壓的大功率及高頻器件,目前公認(rèn)最具代表性的是SiC和GaN材料。

特斯拉Model 3逆變器采用意法半導(dǎo)體的全SiC功率模塊,之后,越來越多的車企都計劃在主逆變器上應(yīng)用SiC器件。2019年SiC器件市場約為5億美元,預(yù)計市場年均增速將高達(dá)40%,目前主要由英飛凌、意法、羅姆等國外廠商占據(jù)。國內(nèi)SiC產(chǎn)業(yè)投資熱度高漲,已披露的投資項目約20個,覆蓋從襯底到功率模塊全產(chǎn)業(yè)鏈,投資金額達(dá)300億元。

GaN在5G宏基站和毫米波小基站以及快充市場中獲得應(yīng)用。由于高頻下具有較高的輸出功率和效率,GaN在射頻領(lǐng)域應(yīng)用較多。2020年2月,小米推出65W GaN充電器,從0充電至100%僅需45分鐘,引發(fā)市場熱捧。2019年GaN器件市場約為0.8億美元,預(yù)計年增速也高達(dá)40%。目前GaN射頻市場主要由Cree、Macom、Intel等占據(jù),功率市場有英飛凌、Transphorm等。近來年,國內(nèi)企業(yè)如三安集成、海威華芯等也在積極布局GaN項目。

后疫情時期,隨著中國政府推動的新基建產(chǎn)業(yè)興起,5G、新能源汽車、消費(fèi)電子等行業(yè)的快速發(fā)展,SiC和GaN產(chǎn)業(yè)和相關(guān)企業(yè)將迎來空前的發(fā)展機(jī)遇。

第三代半導(dǎo)體技術(shù)、材料、設(shè)備與市場論壇2020擬定于9月8-9日廈門召開。會議將由亞化咨詢主辦,多家國內(nèi)外龍頭企業(yè)重點(diǎn)參與。

有關(guān)事宜通知如下:

一、   研討會議題:

1.   全球與中國第三代半導(dǎo)體市場及產(chǎn)業(yè)發(fā)展機(jī)遇
2.   中國第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)政策與項目規(guī)劃
3.   第三代半導(dǎo)體技術(shù)發(fā)展趨勢
4.   SiC PVT長晶技術(shù)&液相法的現(xiàn)狀及發(fā)展
5.   新基建相關(guān)產(chǎn)業(yè)對第三代半導(dǎo)體及材料的需求
6.   SiC市場以及技術(shù)發(fā)展難題&解決方案
7.   GaN射頻器件及模塊在5G基站方面的應(yīng)用
8.   GaN在快充市場中的發(fā)展及替代情況
9.   第三代半導(dǎo)體國產(chǎn)化與技術(shù)及設(shè)備發(fā)展機(jī)遇與挑戰(zhàn)
10.     其他化合物半導(dǎo)體,如GaAs等
11.     工業(yè)參觀與考察

二、   時間:2020年9月8-9日

三、   會議地點(diǎn):廈門五緣灣凱悅酒店

四、   報到時間:2020年9月7日  17:00-20:00

五、   會議注冊費(fèi)和回執(zhí),請聯(lián)系:
陳經(jīng)理:021-68726606-109/13701609248(微信同號)
或填寫表單預(yù)報名:http://idepwa1pt9m7lqzd.mikecrm.com/lMNIpvd

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