什么是STT-MRAM？

發布時間：2020-8-4 17:16 發布者：宇芯電子

關鍵詞： STT-MRAM , MRAM , everspin代理 , Everspin MRAM

隨著有希望的非易失性存儲器架構的可用性不斷增加，以增加并潛在地替代傳統的易失性存儲器，新的SoC級存儲器測試和修復挑戰正在出現。通過將自旋轉移扭矩MRAM（STT-MRAM）作為嵌入式MRAM技術的領先趨勢來增強動力.

什么是STT-MRAM？

嵌入式存儲器IP選項包括STT-MRAM，相變存儲器（PCM），電阻RAM（ReRAM）和鐵電RAM（FRAM）。每種新興的內存技術都不同，適合特定的應用，但STT-MRAM似乎已成為主流。

STT-MRAM是一種電阻存儲技術，其中材料中電子的磁性自旋變化會產生可測量的電阻率變化。從概念上講，每個單元由兩個磁體組成：一個是固定的，另一個是可以翻轉的。當磁體彼此平行時，電阻低。當第二個磁鐵反轉方向時，電阻很高。

由于磁性隧道結（MTJ）器件能夠通過僅三個額外的掩膜嵌入芯片的線路后端（BEOL）互連層，因此STT-MRAM技術享有低功耗和低成本的優勢。在商業代工廠中，STT-MRAM的支持正在加速發展，GlobalFoundries，英特爾，三星，臺積電和聯電都已公開宣布為28nm / 22nm技術的SoC設計人員提供產品。

系統設計師正在將STT-MRAM技術用于低功耗MCU設計（例如IoT穿戴式設備），這些設計可以從較小的芯片尺寸中受益。STT-MRAM通常會為這些早期采用者取代嵌入式閃存。對于自動駕駛雷達SoC，STT-MRAM的數據保留和密度是顯著的優勢。在不久的將來，STT-MRAM將用于最終應用（例如超大規模計算，內存計算，人工智能和機器學習）中替代SRAM。

Everspin Technologies，Inc是設計制造和商業銷售MRAM和STT-MRAM的全球領導者，其市場和應用領域涉及數據持久性和完整性，低延遲和安全性至關重要。Everspin MRAM在數據中心，云存儲，能源，工業，汽車和運輸市場中部署了超過1.2億個MRAM和STT-MRAM產品。everspin代理宇芯電子可提供技術支持及產品應用解決方案等產品一體系服務。

Everspin STT-MRAM

型號	容量	位寬	電壓	速度	封裝	溫度
EMD4E001G08G1-150CAS1	1Gb	128Mb x8	--	667MHz	Commercial	78-BGA
EMD4E001G08G1-150CAS1	1Gb	128Mb x8	--	667MHz	Commercial	78-BGA
EMD4E001G16G2-150CAS1	1Gb	64Mb x16	--	667MHz	Commercial	96-BGA
EMD4E001G16G2-150CAS1R	1Gb	64Mb x16	--	667MHz	Commercial	96-BGA
EMD3D256M16G2-150CBS1	256Mb	16Mb x 16	1.5v +/- 0.075v	1333	0-85	BGA
EMD3D256M08G1-150CBS1	256Mb	32Mb x 8	1.5v +/- 0.075v	1333	0-85	BGA
EMD3D256M16G2-187CBS2T	256Mb	16Mb x 16	1.5v +/- 0.075v	1066	BGA	0-85
EMD3D256M16G2-187CBS2R	256Mb	16Mb x 16	1.5v +/- 0.075v	1066	BGA	0-85
EMD3D256M16G2-150CBS2T	256Mb	16Mb x 16	1.5v +/- 0.075v	1333	BGA	0-85
EMD3D256M16G2-150CBS2R	256Mb	16Mb x 16	1.5v +/- 0.075v	1333	BGA	0-85
EMD3D256M08G1-187CBS2T	256Mb	32Mb x 8	1.5v +/- 0.075v	1066	BGA	0-85
EMD3D256M08G1-187CBS2R	256Mb	32Mb x 8	1.5v +/- 0.075v	1066	BGA	0-85
EMD3D256M08G1-150CBS2T	256Mb	32Mb x 8	1.5v +/- 0.075v	1333	BGA	0-85
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EMD3D256M16G2-150CBS1T	256Mb	16Mb x 16	1.5v +/- 0.075v	1333	BGA	0-85
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