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從純技術(shù)角度考慮兩個最廣泛使用的DRAM選項-同步DRAM（SDRAM）和減少延遲的DRAM（RLDRAM）。SDRAM tRC在過去10年中沒有實質(zhì)性的發(fā)展，約為48ns，這與21MT/s的RTR相關(guān)。其他基于DRAM芯片的存儲設(shè)備已被設(shè)計為以密度為代價提高tRC。例如RLD RAM3的RC為8ns，與125MT/s的RTR相關(guān)。從本質(zhì)上講DRAM芯片是針對涉及確定性計算算法的順序訪問進行優(yōu)化的，但高頻交易卻無法做到這一點。 更好的替代方法是同步SRAM存儲器。盡管基于DRAM芯片的內(nèi)存提供更高的內(nèi)存容量，但它們無法滿足交易平臺緩存所要求的延遲和性能。數(shù)十年來，SRAM存儲器一直是大多數(shù)高性能應用程序的首選存儲器。與一般的基于DRAM芯片的解決方案相比，基于SRAM的解決方案速度提高了24倍。 在SRAM存儲器中，QDR SRAM系列可提供世界上任何形式的存儲器中最高的性能。QDR SRAM專門為突發(fā)隨機訪問而構(gòu)建。借助專用于讀寫的端口，QDR存儲器非常適合平衡的讀寫操作（如訂單簿管理）。賽普拉斯的QDR-IV等最新的QDR SRAM更進一步，并提供了兩個雙向端口。當讀取和寫入的混合不平衡時，這使QDR-IV高效，例如TCP/IP處理查找和提要處理之類的操作就是這種情況。 下表提供了各種核心內(nèi)存技術(shù)解決方案的比較： QDR-IV內(nèi)存的RTR為2132MT/s，延遲為7.5ns。考慮到FPGA解決方案的隨機存取性能至關(guān)重要，這些存儲器可幫助大幅降低總體交易延遲。該SRAM的高工作頻率和雙端口操作可實現(xiàn)為要求苛刻的網(wǎng)絡環(huán)境而構(gòu)建的超低延遲數(shù)據(jù)包緩沖區(qū)。QDR-IV的無與倫比的隨機事務處理率還為需要立即查詢大型表或其他數(shù)據(jù)結(jié)構(gòu)的自定義應用程序提供了便利。雖然DRAM是用于存儲大量信息以進行數(shù)據(jù)記錄的更好的存儲器，但高性能SRAM可以與其結(jié)合使用，以存儲計算查找或緩存用于延遲關(guān)鍵路徑的數(shù)據(jù)。 除了RTR和延遲優(yōu)勢之外，許多SRAM存儲芯片還集成了許多新功能，例如用于提高可靠性的糾錯碼（ECC），管芯端接（ODT）和去偏斜訓練，以改善信號完整性。 鑒于可以產(chǎn)生幾納秒的競爭優(yōu)勢，因此在構(gòu)建基于FPGA的定制解決方案時，使用的存儲器類型也是至關(guān)重要的方面。由于基于QDR的存儲器的固有優(yōu)勢，許多FPGA供應商正在將QDR存儲器解決方案納入其最新一代的高性能基于FPGA的交易解決方案中。與使用傳統(tǒng)存儲器解決方案的交易者相比，這使使用這些FPGA的交易者具有先發(fā)優(yōu)勢。QDR存儲器得到Altera和Xilinx等領(lǐng)先的FPGA供應商的支持。 |
