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內存技術在幾十年的發展過程中性能提高了不少，但并沒有實質性的改變。因為這些內存產品都是基于動態隨機訪問存儲器DRAM的，一旦沒有持續的電力，所存儲的數據就會立即消失，這就直接導致目前的PC必需經歷一段不短的時間進行啟動才能正式使用，而無法像其他家電一樣即開即用。然而MRAM卻是一種全新的技術，甚至有望令PC的應用方式徹底改變。 一、斷電也能保存MRAM技術精髓 MRAM是一種非易失性的磁性隨機存儲器，所謂“非易失性”是指關掉電源后，仍可以保持記憶完整，功能與目前極為流行的閃存芯片類似;而“隨機存取”是指CPU讀取資料時，不一定要從頭開始，隨時可用相同的速率，從內存的任何部位讀寫信息。MRAM運作的基本原理與硬盤驅動器類似，就如同在硬盤上存儲數據一樣，數據以磁性的方向為依據，存儲為O或1（圖1）。它存儲的數據具有永久性，直到被外界的磁場影響之后，才會改變這個磁性數據。因為運用磁性存儲數據，所以MRAM在容量成本方面大幅度降低。 但是MRAM的磁介質與硬盤有著很大的不同。它的磁密度要大得多，也相當薄，因此產生的自感和阻尼要少得多，這也是MRAM速度明顯快于硬盤的重要原因。當進行讀寫操作時，MRAM中的磁極方向控制單元會使用相反的磁力方向，以使數據流水線能同時進行讀寫操作而不延誤時間。但是MRAM的這種設計方案也不是沒有壞處，當磁密度小到一定程度時會產生一定的信號干擾，對于MRAM的穩定性有所影響。不過好在目前90納米制作工藝相當先進，已經完全能夠解決這一問題。 當感應磁場通過MRAM的層面時，又會產生微小的區別抵抗力，這是因為感應磁場建立的順磁場在其相反的存儲狀態中磁化而形成的，這也是各向異性磁電阻的缺點之一。不過各向異性磁電阻的這一缺點暫時還是無法避免的，畢竟它對MRAM的正面影響要遠大于負面影響。根據以上技術特性，MRAM以較低的成本實現了非易失性隨機存儲，注定成為未來內存革命的先驅者。 Everspin是設計，制造和商業銷售MRAM、STT-MRAM的全球領導者，其市場和應用涉及數據持久性和完整性，低延遲和安全性至關重要。Everspin在數據中心，云存儲，能源，工業，汽車和運輸市場中部署了超過1.2億個MRAM和STT-MRAM產品，奠定了最強大，增長最快的基礎。everspin代理宇芯電子支持提供相關技術支持。 |
