IR推出PQFN2mm×2mm和PQFN 3．3mm×3．3mm封裝

發(fā)布時間：2011-7-19 17:34 發(fā)布者：Liming

關鍵詞： IR , PQFN2mm×2mm , PQFN3．3mm×3．3mm , 封裝

全球功率半導體和管理方案領導廠商國際整流器公司 (International Rectifier，簡稱IR) 擴展其PQFN封裝系列，推出PQFN 2mm x 2mm和PQFN 3.3mm x 3.3mm封裝。新型封裝集成了兩個采用IR最新硅技術的HEXFET® MOSFET，為低功率應用提供高密度、低成本的解決方案，這些應用包括智能手機、平板電腦、攝像機、數(shù)碼相機、直流電動機、無線感應充電器、筆記本電腦、服務器、網通設備等。

新款PQFN2x2和PQFN3.3x3.3雙器件在每一個封裝上都配備了一對功率MOSFET，提供共汲極和半橋拓撲的靈活性。這些器件利用IR最新的低壓硅技術 (N和P) 來實現(xiàn)超低損耗。例如，IRLHS6276在只有4 mm2 的范圍內，配備了兩個典型導通電阻 (RDS(on)) 均為33mΩ的MOSFET。

IR亞太區(qū)銷售副總裁潘大偉表示：“新型PQFN雙器件適用于開關和直流應用，為客戶提供高密度、低成本的解決方案。如今，IR新增了這些封裝，能夠提供一系列低壓PQFN產品，包括N通道和P通道器件，20V和30V器件，最小驅動能力達到4.5V或2.5V的器件，以及單器件或雙器件，它們都擁有極低的導通電阻�！�

這個雙PQFN系列包括專為高側負荷開關優(yōu)化的P通道器件，可提供更為簡便的驅動解決方案。這些器件的封裝厚度不到1 mm，與現(xiàn)有的表面貼裝技術相兼容，并且擁有符合行業(yè)標準的占位空間，也符合電子產品有害物質管制規(guī)定 (RoHS)
產品規(guī)格

器件編號	封裝	BV (V)	最大Vgs	在10V下的典型/最大導通電阻 (mΩ)	在4.5V下的典型/最大導通電阻 (mΩ)	在2.5V下的典型/最大導通電阻 (mΩ)
IRFHS9351	PQFN 2x2	-30V	+/- 20 V	135 / 170	235 / 290	-
IRLHS6276	PQFN 2x2	+20V	+/- 12 V	-	33 / 45	46 / 62
IRLHS6376	PQFN 2x2	+30V	+/- 12 V	-	48 / 63	61 / 82
IRFHM8363	PQFN 3.3x3.3	+30V	+/- 20 V	12/15	16 / 21	-

本文地址：http://www.qingdxww.cn/thread-71095-1-1.html 【打印本頁】

本站部分文章為轉載或網友發(fā)布，目的在于傳遞和分享信息，并不代表本網贊同其觀點和對其真實性負責；文章版權歸原作者及原出處所有，如涉及作品內容、版權和其它問題，我們將根據(jù)著作權人的要求，第一時間更正或刪除。