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在放大電路中擔任未級輸出的管子叫功率管。
功率管分為大功率管和小功率管。一般PCM（集電極耗損功率）大于1W的叫大功率管如國產的3DD和3DA型的和日產的2SD和2SC管子。PCM小于1W的叫小功率管。如3AX和3DG型的管子。有的較好的電路有CMOS場效應管做功率放大管。
1、我的功率管是TOSIBA
2SC5200
0. 528
JAPAN 能告訴我0. 528 表示啥意思嗎?謝謝!!!
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o=橙色，代表Hfe分檔。常見一般有R，O，Y，GR、BL標記（中文紅、橙、黃、綠、藍）
528是生產時間，即05年第28周生產；
附：
日本晶體管命名方法
第一部分：用數字表示電極的數目
第二部分：用字母表示JEIA注冊標志。
第三部分：用字母表示器件極性和類別
A：PNP型高頻晶體管 B：PNP型低頻晶體管 C：NPN型晶體管 D：NPN型晶體管
第四部分：用多位數字表示序號
第五部分：用字母表示同一型號的改進產品
A：原型號的改進產品 B： C： D：
后綴字母的說明：
H：日立公司為通信工業制造的器件。 E：日立公司的器件采用塑封外殼。
G：東芝為通信設備制造的器件。 S：三洋公司為通信設備制造的器件。
2、功率管，它的最大輸出功率是否僅受其極限參數限制？為什么？
解：否。還受功率管工作狀態的影響，在極限參數中，PCM 還受功率管所處環境溫度、散熱條件等影響。
3、高頻小功率
高頻小功率三極管一般指特征頻率大于3MHz,功率小于1W的三極管。主要用于高頻振蕩、放大電路中。高頻大功率三極管指特征頻率大于3MHz,功率大于1W的三極管。主要用于通信等設備中作為功率驅動、放大。
功率MOSFET(金屬－氧化物-半導體場效應晶體管)是最重要的一種功率場效應晶體管,除此之外還有MISFET、MESFET、JFET等幾種。功率MOSFET為功率集成器件，內含數百乃至上萬個相互并聯的MOSFET單元。為提高其集成度和耐壓性,大都采用垂直結構(即VMOS)，如VVMOS（V型槽結構）、VUMOS、SIPMOS等。
功率MOSFET屬于電壓型控制器件。它依靠多數載流子工作,因而具有許多優點:能與集成電路直接相連；開關頻率可在數兆赫以上（可達100MHz），比雙極型功率晶體管至少高10倍；導通電阻具有正溫度系數,器件不易發生二次擊穿,易于并聯工作。與GTR相比，功率MOSFET的導通電阻較大，電流密度不易提高，在100kHz以下頻率工作時,其功率損耗高于GTR。此外，由于導電溝道很窄（微米級）,單元尺寸精細，其制作也較GTR困難。在80年代中期,功率MOSFET的容量還不大（有100A/60V，75A/100V，5A/1000V等幾種）。
下圖為HF/VHF 功率MOS 晶體管BLF117(耗散功率200W,工作頻率可高達100MHz)的外形圖和芯片圖.
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場效應管的作用:
1、場效應管可應用于放大。由于場效應管放大器的輸入阻抗很高，因此耦合電容可以容量較小，不必使用電解電容器。
2、場效應管很高的輸入阻抗非常適合作阻抗變換。常用于多級放大器的輸入級作阻抗變換。
3、場效應管可以用作可變電阻。
4、場效應管可以方便地用作恒流源。
5、場效應管可以用作電子開關。
場效應管與晶體管的比較
(1)場效應管是電壓控制元件，而晶體管是電流控制元件。在只允許從信號源取較少電流的情況下，應選用場效應管；而在信號電壓較低，又允許從信號源取較多電流的條件下，應選用晶體管。
(2)場效應管是利用多數載流子導電，所以稱之為單極型器件，而晶體管是即有多數載流子，也利用少數載流子導電。被稱之為雙極型器件。
(3)有些場效應管的源極和漏極可以互換使用，柵壓也可正可負，靈活性比晶體管好。
(4)場效應管能在很小電流和很低電壓的條件下工作，而且它的制造工藝可以很方便地把很多場效應管集成在一塊硅片上，因此場效應管在大規模集成電路中得到了廣泛的應用高頻中、大功率晶體管一般用于視頻放大電路、前置放大電路、互補驅動電路、高壓開關電路等電路。
常用的國產高頻中、大功率晶體管有3DG41A～3DG41G、3DG83A～3DG83E、3DA87A～3DA87E、3DA88A～3DA88E、3DA93A～3DA93D、3DA151A～3DG151D、3DA1～3DA5、3DA100～3DA108、3DA14A～3DA14D、3DA30A～3DA30D、3DG152A～3DG152J、3CA1～3CA9等型號。
常用的進口高頻中、大功率晶體管有2SA634、2SA636、2SA648A、2SA670、2SB940、2SB734、2SC2068、2SC2258、2SC2371、2SD1266A、2SD966、2SD8829、S8050、S8550、BD135、BD136等型號。 |
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發表于 2011-7-22 10:05:29
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