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*@SPATM TVS Diode Array - 瞬態(tài)抑制二極管陣列

發(fā)布時間:2011-8-19 23:52    發(fā)布者:1770309616


選型手冊下載:

ESD抑制產(chǎn)品選型手冊(4.68M):

Littelfuse_ESD_System_Level_Guide[1].pdf (4.68 MB)

SPA產(chǎn)品目錄(8.24M):

Littelfuse_SPA_Catalog[1].pdf (8.24 MB)


              Littelfuse SPA器件設(shè)計用于保護(hù)電子設(shè)備免受通常具有破壞力的快速瞬態(tài)電壓的破壞,例如雷擊和靜電放電(ESD)。
       它們?yōu)殡娔X和便攜式消費電子產(chǎn)品市場提供了針對輸入/輸出接口和數(shù)字與模擬信號線的理想保護(hù)方案.

Littelfuse SPA器件可提供包括DIPSOICMSOPSOT23SOT143SC70SOT5x3SOT953µDFNSOD723和倒晶在內(nèi)的多種封裝配置。

瞬態(tài)抑制二極管陣列擁有較低的電容、泄漏電流和箝位電壓,可提供高級別的保護(hù)(根據(jù)IEC 61000-4-2標(biāo)準(zhǔn),電壓高達(dá)30kV)。 SP03-xxSP30xx器件可用于更嚴(yán)酷的應(yīng)用條件,能夠防止EFT和雷擊瞬變威脅,符合IEC-61000-4-4/5標(biāo)準(zhǔn)。

靜電放電(ESD)是一種電瞬態(tài)現(xiàn)象,可對電子電路造成嚴(yán)重威脅。
最常見的原因是由于兩種不同材料相互摩擦而造成電荷在表面積聚。
通常,其中的一個表面為人體,靜電荷經(jīng)常高達(dá)15,000伏。
當(dāng)靜電電壓達(dá)到6,000伏時,如發(fā)生ESD,則會令人體感到痛苦。
較低的放電電壓可能不會引起人們注意,不過也會對電子元件和電路造成災(zāi)難性的損壞。

1、 瞬態(tài)抑制二極管陣列介紹
Littelfuse 瞬態(tài)抑制二極管陣列旨在盡可能使用最小的箝位電壓來保護(hù)模擬和數(shù)字信號線路(例如USBHDMI)免于各種瞬變現(xiàn)象的危害。
與傳統(tǒng)二極管相比,它們的應(yīng)用范圍更廣,脈沖保護(hù)性能更優(yōu)越。

此類二極管功能強大,可以IEC 61000-4-2國際標(biāo)準(zhǔn)中規(guī)定的最高級別(4級)安全吸收ESD的反復(fù)沖擊,性能無任何下降。

主要特色

·低電容,通常為30pF0.65pF

·高級別的ESD保護(hù)(IEC 610000-4-2 )接觸放電高達(dá)±20kV,空氣放電高達(dá)±30kVEFT IEC 61000-4-4 40A5/50ns

·低箝位電壓

·低泄漏電流,最大0.5μA

·高達(dá)14的輸入保護(hù)

·可提供節(jié)省空間的表面封裝型、通孔型和在輸入端口附近安裝的小尺寸封裝,以提供最優(yōu)保護(hù)

·符合RoHS標(biāo)準(zhǔn),無鉛

Littelfuse SPA:工作原理

Littelfuse 瞬態(tài)抑制二極管陣列(SPATM TVS Diode Array ),提供對ESD、電磁干擾(EMI)、電氣快速瞬變(EFT)和雷擊的防護(hù),主要用于依靠電源工作的敏感型數(shù)字和模擬輸入電路的數(shù)據(jù)、信號或控制線路。

SPA的工作原理分為兩步:首先,它們會吸收二極管的瞬變電流并改變其方向,接著通過雪崩或齊納二極管箝制電壓水平。
這樣可防止設(shè)備超出額定電壓值。
當(dāng)發(fā)生過電壓故障時,設(shè)備必須具有特定電流波形的低箝位電壓,以保護(hù)靈敏型IC和端口。

在正常工作狀態(tài)下,反向斷態(tài)電壓必須高于設(shè)備的電源/工作電壓,且?guī)в械托孤╇娏鳎苑乐闺娫簇?fù)載。
設(shè)備電容必須低至足以減少輸入信號的失真。
設(shè)備封裝必須體積小、高度低,以實現(xiàn)高密度的印刷電路板布局。

設(shè)備必須能承受IEC 61000-4-2規(guī)定的多種ESD/EFT脈沖。

術(shù)語與定義

工作電壓范圍(Vsupply可橫跨V+V-兩端的電源電壓范圍限值。 SCR/二極管陣列無固定轉(zhuǎn)折電壓或工作電壓。
此類設(shè)備可在輸入和電源軌道上浮動,因此同一個設(shè)備可在其電壓范圍內(nèi)的任意點位工作。

正向電壓降特定正向電流的輸入引腳和對應(yīng)電源引腳之間的最大正向電壓降。

反向電壓降特定反向電流的輸入引腳和對應(yīng)電源引腳之間的最大反向電壓降。

反向斷態(tài)電壓設(shè)備的反向斷態(tài)電壓(VR)應(yīng)等于或高于待保護(hù)電路(或部分電路)的峰值工作水平。
這是為了確保SPA不會抑制電路驅(qū)動電壓。

反向泄漏電流在特定電壓下測得的最大電流。

箝位電壓在出現(xiàn)最大峰值脈沖電流時,可從保護(hù)器上測得的最大電壓。

輸入泄漏電流在輸入端規(guī)定的電壓下,于輸入引腳處測得的直流電流值。

靜態(tài)電源電流當(dāng)Vsupply在最大電壓時,輸入V+/V-引腳的最大直流電流。

輸入電容1MHz/1VRMS的條件下,于輸入引腳和任一電源引腳之間測得的電容。


2、什么是瞬態(tài)電壓?為什么需要注意這種電壓?

瞬態(tài)電壓是由電能釋放的短時高電壓,通常在儲存的能量突然釋放,或有較重的電感負(fù)載或雷擊等其它誘因時產(chǎn)生。
在電氣或電子電路中,可以通過開關(guān)控制方法預(yù)先釋放該能量,也可以將其隨機(jī)導(dǎo)入外部電源電路中。

反復(fù)瞬變現(xiàn)象通常在操作電機(jī)、發(fā)電機(jī)或在開/關(guān)反饋電路元件時產(chǎn)生。
而隨機(jī)瞬變現(xiàn)象則通常在雷擊或靜電放電(ESD)時產(chǎn)生。
雷擊和靜電放電的發(fā)生是無法預(yù)測的,所以需要進(jìn)行精密的監(jiān)測以準(zhǔn)確測算,尤其在電路板層面可能發(fā)生上述情況的時候更需注意。
許多電子標(biāo)準(zhǔn)組使用公認(rèn)的監(jiān)測手段或測試方法對瞬變電壓的產(chǎn)生進(jìn)行了分析研究。
下表列舉了瞬變現(xiàn)象的一些重要特征。


電壓

電流

生成時間

持續(xù)時間

雷擊

25kV

20kA

10 μs

1ms

/關(guān)

600V

500A

50 μs

500ms

電磁脈沖

1kV

10A

20ns

1ms

ESD

15kV

30A

<1ns

100ns


1:瞬變源及其量值示例

瞬變電壓峰值的特性

如下圖所示,雷擊和靜電放電形成的瞬變電壓峰值通常會形成一條雙指數(shù)波形。





1:雷擊的瞬變波形





2:靜電放電的測試波形

雷擊的指數(shù)生成時間在1.2微秒至10微秒之間(基本為10%90%),持續(xù)時間在50微秒至1000微秒之間(峰值的50%

而靜電放電持續(xù)的時間則相對而言短很多。
生成時間小于1.0毫微秒。
持續(xù)總時間約為100納秒。

為什么瞬變現(xiàn)象越來越多地受到關(guān)注?

產(chǎn)品的小型化趨勢使得產(chǎn)品對電氣應(yīng)力日益敏感。
以微處理器為例,其結(jié)構(gòu)和導(dǎo)電通路無法處理由靜電放電瞬變現(xiàn)象產(chǎn)生的強電流。
因為這類產(chǎn)品的操作電壓非常低,所以必須控制電壓干擾以防設(shè)備斷路、潛在隱患或災(zāi)難性事件的發(fā)生。

目前,敏感微處理器廣泛應(yīng)用于各類設(shè)備之中。
從家用電器(例如洗碗機(jī))至工業(yè)控制設(shè)備,甚至玩具都使用微處理器來提高性能和功效。

大部分汽車也使用多重電子系統(tǒng)來控制發(fā)動機(jī)、空調(diào)、剎車系統(tǒng),部分汽車還將其用于控制轉(zhuǎn)向、牽引和安全系統(tǒng)。

應(yīng)用設(shè)備和汽車內(nèi)的很多附件或支持產(chǎn)品(例如電機(jī)或配件)都有可能產(chǎn)生危害整個系統(tǒng)的瞬變現(xiàn)象。

因此,縝密的電路設(shè)計不僅要考慮自然環(huán)境的影響,還需要注意相關(guān)產(chǎn)品存在的潛在威脅。
下表2列舉了不同產(chǎn)品的技術(shù)弱點。

裝置類型

臨界電壓(伏)

VMOS

30-1800


100-200

GaAsFET

100-300

EPROM

100

JFET

140-7000


250-3000

肖特基二極管

300-2500

雙極晶體管

380-7000

SCR

680-1000


2:設(shè)備的臨界電壓范圍。



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1770309616 發(fā)表于 2011-8-20 00:13:17
3、瞬態(tài)電壓產(chǎn)品示例

瞬態(tài)電壓產(chǎn)品示例

靜電放電(ESD

靜電放電通常生成時間很快,峰值電壓和電流可達(dá)到非常高的值。
此種能量由物體間不平衡的正負(fù)電荷產(chǎn)生。

日常活動中的靜電放電足以超過標(biāo)準(zhǔn)半導(dǎo)體技術(shù)中的瞬態(tài)臨界點。
以下列舉了幾個例子:

·從地毯上走過:
35kV @ RH = 20%;1.5kV @ RH = 65%

·從塑膠地板上走過:
12kV @ RH = 20%;250V @ RH = 65%

·工人在工作臺上工作:
6kV @ RH = 20%;100V @ RH = 65%

·塑膠信封:
7kV @ RH = 20%;600V @ RH = 65%

·從桌面上拿起塑料袋:
20kV @ RH = 20%;1.2kV @ RH = 65%

雷擊引起的瞬變現(xiàn)象

盡管直擊雷的破壞力顯而易見,可是由雷擊引起的瞬態(tài)現(xiàn)象并非由直擊雷造成。

發(fā)生雷擊時產(chǎn)生的磁場,會造成附近的電纜線發(fā)生高量值瞬態(tài)。

云層間的雷擊對地面和埋在地下的電纜都會產(chǎn)生影響。
即使雷擊發(fā)生在1英里1.6公里)以外的地方,依然可在電纜上產(chǎn)生70伏的電壓。

而云層對地面的雷擊所產(chǎn)生的瞬態(tài)電壓的(如右圖所示)則更大。

下圖顯示了典型的由雷擊干擾引發(fā)的電流波。


感應(yīng)負(fù)載開關(guān)

電感負(fù)載開關(guān)可產(chǎn)生能量很高且量值不斷增加的瞬態(tài)電壓。
當(dāng)電感負(fù)載關(guān)閉的時候,斷裂的磁場被轉(zhuǎn)化為雙指數(shù)瞬態(tài)形式的電能。
根據(jù)不同的產(chǎn)生源,瞬態(tài)現(xiàn)象可產(chǎn)生數(shù)百伏的電壓和數(shù)百安培的電流,持續(xù)時間可達(dá)400毫秒。

典型的電感瞬變產(chǎn)生源包括:

·發(fā)電機(jī)

·電機(jī)

·繼電器

·互感器

這些實例在電氣和電子系統(tǒng)中應(yīng)用廣泛。
由于各種應(yīng)用的負(fù)載各不相同,實際瞬態(tài)現(xiàn)象產(chǎn)生的波形、持續(xù)時間、峰值電流和峰值電壓也都不同。
只要估算出這些可變量值,就能夠選用合適的抑制器技術(shù)。

右圖展示的是由汽車充電系統(tǒng)的交流發(fā)電機(jī)中聚集的能量引發(fā)的瞬態(tài)現(xiàn)象。

汽車的其它直流電機(jī)也可能會引發(fā)類似的瞬態(tài)現(xiàn)象。
例如電子鎖、座椅和窗戶等直流電機(jī)電子設(shè)備。
使用直流電機(jī)的不同應(yīng)用設(shè)備都可以產(chǎn)生瞬態(tài)現(xiàn)象,它與由外界因素產(chǎn)生的瞬態(tài)現(xiàn)象一樣,都會對敏感電子組件造成危害。

1770309616 發(fā)表于 2011-8-20 00:22:38
4、Littelfuse SPA選擇和產(chǎn)品概述

鑒于抑制ESD和其他電氣瞬態(tài)現(xiàn)象的速度和箝位等級對保護(hù)現(xiàn)代化集成電路至關(guān)重,Littelfuse的瞬態(tài)抑制二極管陣列是提供這類保護(hù)的理想選擇。 SPATM系列提供多種設(shè)備,均適用于目前市場上絕大多數(shù)ESD額定值高達(dá)30kV、寄生電容低至0.4pF的應(yīng)用。
下表列出了所有瞬態(tài)抑制二極管陣列系列產(chǎn)品,以及一些相應(yīng)的關(guān)鍵規(guī)格。
如需了解關(guān)于某個系列的詳細(xì)信息,請點擊系列名稱。


wbsh 發(fā)表于 2011-8-20 21:45:57
謝謝了
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