Vishay推出新型650 V SiC肖特基二極管，提升高頻應用能效

發布時間：2021-1-28 10:44 發布者：eechina

關鍵詞： SiC , 二極管

器件額定電流4 A~40 A，采用MPS結構設計，降低開關損耗和溫變影響

Vishay推出十款新型650 V 碳化硅（SiC）肖特基二極管。Vishay Semiconductors器件采用混合PIN Schottky（MPS）結構設計，通過降低開關損耗提升高頻應用能效，不受溫度變化的影響—從而使二極管能夠在更高的溫度下工作。

日前發布的MPS二極管可屏蔽肖特基勢壘產生的電場，減少漏電流，同時通過空穴注入提高浪涌電流能力。與硅肖特基器件相比，新型二極管處理電流相同的情況下，正向壓降僅略有上升，堅固程度明顯提高。

器件適用于服務器、電信設備、UPS和太陽能逆變器等應用領域的功率因數校正（PFC）續流、升降壓續流和LLC轉換器輸出整流，為設計人員實現系統優化提供高靈活性。二極管采用2L TO-220AC和TO-247AD 3L封裝，額定電流為4 A~40 A，可在+175 C高溫下工作。

器件規格表：

產品編號	IF(AV) (A)	VRRM	25 °C, 10 ms下IFSM	IF和TJ下VF (典型值)			TJ最大值 (°C)	封裝
產品編號	IF(AV) (A)	(V)	(A)	VF (V)	IF (A)	TJ (°C)	TJ最大值 (°C)	封裝
VS-C04ET07T-M3	4	650	26	1.75	4	150	175	2L TO-220AC
VS-C06ET07T-M3	6	650	39	1.7	6	150	175	2L TO-220AC
VS-C08ET07T-M3	8	650	57	1.7	8	150	175	2L TO-220AC
VS-C10ET07T-M3	10	650	68	1.75	10	150	175	2L TO-220AC
VS-C12ET07T-M3	12	650	80	1.65	12	150	175	2L TO-220AC
VS-C16ET07T-M3	16	650	120	1.65	16	150	175	2L TO-220AC
VS-C20ET07T-M3	20	650	160	1.6	20	150	175	2L TO-220AC
VS-C16CP07L-M3	16	650	53	1.7	8	150	175	TO-247AD 3L
VS-C20CP07L-M3	20	650	64	1.75	10	150	175	TO-247AD 3L
VS-C40CP07L-M3	40	650	160	1.55	20	150	175	TO-247AD 3L

新型SiC二極管現可提供樣品并已實現量產，供貨周期為10周。

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