|
大聯大旗下友尚推出基于安森美半導體（ON Semiconductor）高頻率準諧振NCP1342的65W PD電源適配器方案。 電源適配器在電子產品中占據相當大的空間，在過去一段時間里，人們采用以硅(silicon)為材料的電源技術來縮減產品尺寸，但隨著市場對于高功率密度的需求日益增高，硅材料在現有尺寸規格下，已經無法在所需的頻率下輸出更高的功率。因此，GaN就成了大功率適配器的首選材料。由大聯大友尚推出的基于ON Semiconductor高頻率準諧振NCP1342的65W PD電源適配器方案，搭配英諾賽科的GaN MOS，可以在保障產品小型化的同時擁有更大的功率。 
圖示1-大聯大友尚基于ON Semiconductor產品的65W PD電源適配器方案的實體圖 GaN被稱為第三代半導體材料，電子遷移率遠遠高于硅，輸出電容也遠小于硅，這使得其具有寬能帶隙特性，可以使電源設計達到更高的功率密度和效率水平，從而降低了開關損耗和傳導損耗，支持更高的開關頻率，有助于實現更高功率的小尺寸電源設計。 此外，本方案中的核心器件是ON Semiconductor高頻率準諧振NCP1342，其具有專有的谷值鎖定電路，可確保穩定的谷值切換。在設計上，NCP1342采用最小峰值電流調制（MPCM）來快速降低開關頻率，以確保針對高頻設計的輕負載性能。不僅如此，NCP1342還內置若干關鍵保護電路，可確保實現堅固耐用的轉換器性能。
圖示2-大聯大友尚基于ON Semiconductor產品的65W PD電源適配器方案的方塊圖 核心技術優勢： 高頻率準諧振反激控制芯片； 支持8pin與9pin的2種封裝； 集成了HV pin，里面同時集成了BO與X2電容放電功能； NCP1342有波谷鎖定功能，最多6個波谷鎖定； 最小工作頻率（26KHz）的鉗制和安靜跳模式； 空載功耗<；30 mW @ 265 Vac； 頻率抖動以減小EMI干擾； 頻率反走以及MPCM（最小峰值電流調制）功能來減少開關次數提高輕載效率。 方案規格： 采用NCP1342搭配英諾賽科的INN650D0265W做的小體積電源適配器，尺寸：60 x 31 x 31mm； 待機功耗小于60mW； 功率密度達到18W/in3； 滿載最大效率達到94%； 支持PD3.0。 |
