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Cypress憑借在分立存儲器半導體領域近40年的經驗，以同類最佳的存儲器產品、解決方案和技術引領行業。于1982年推出第一款隨機存取存儲器，并從這個吉祥的開端發展為涵蓋NOR閃存、pSRAM、SRAM、nvSRAM和FRAM的廣泛產品，其密度范圍從4Kbit到4Gbit。賽普拉斯易失性和非易失性存儲器產品組合具有以下特性：超低功耗、高性能、可靠的FRAM產品。Cypress代理可提供產品相關技術支持。 功能概述 FM25V01A-G是一個采用高級鐵電工藝的128Kbit非易失性存儲器。FRAM是非易失性的；與RAM相同，它能夠執行讀和寫操作。它提供151年的可靠數據保留時間，并解決了由串行閃存、EEPROM和其他非易失性存儲器造成的復雜性、開銷和系統級可靠性的問題。 與串行閃存和EEPROM不同，FM25V01A-G以總線速度執行寫操作。并且它不會引起任何寫操作延遲。每個字節成功傳輸到器件后，數據立即被寫入到存儲器陣列內。這時可以開始執行下一個總線周期而不需要輪詢數據。與其他非易失性存儲器相比的是該產品提供了更多的擦寫次數。FM25V01A-G能夠支持1014次讀/寫周期，或支持比EEPROM多1億次的寫周期。 由于具有這些特性，因此FM25V01A-G適用于需要頻繁或快速寫入的非易失性存儲器應用。應用的范圍包括從數據采集（其中寫周期數量是非常重要的）到苛刻的工業控制（其中串行閃存或EEPROM的較長寫時間會使數據丟失）。 作為硬件替代時，FM25V01A-G為串行EEPROM或閃存的用戶提供大量便利。FM25V01A-G使用高速的SPI總線，從而可以改進FRAM技術的高速寫入功能。該器件包含一個只讀的器件ID，通過該ID，主機可以確定制造商、產品容量和產品版本。在–40℃到+85℃的工業級溫度范圍內，該器件規范得到保證。 特性 ■128Kbit鐵電性隨機存儲器（FRAM）被邏輯組織為16K×8 ❐高耐久性：100萬億（1014）次的讀/寫操作 ❐151年的數據保留時間（請參考數據保留時間與耐久性表） ❐NoDelay™寫操作 ❐高級高可靠性的鐵電工藝 ■非�？斓拇型庠O接口（SPI） ❐工作頻率可高達40MHz ❐串行閃存和EEPROM的硬件直接替代 ❐支持SPI模式0（0,0）和模式3（1,1） ■精密的寫入保護方案 ❐使用寫保護（WP）引腳提供硬件保護 ❐使用寫禁用指令提供軟件保護 ❐可為1/4、1/2或整個陣列提供軟件模塊保護 ■器件ID ❐制造商ID和產品ID ■低功耗 ❐當頻率為40MHz時，有效電流為2.5mA ❐待機電流為150mA ❐睡眠模式電流為8mA ■工作電壓較低：VDD=2.0V到3.6V ■工業溫度范圍：–40℃到+85℃ ■8引腳小型塑封集成電路（SOIC）封裝 ■符合有害性物質限制（RoHS） 引腳分布 FM25V01A-G是一個串行FRAM存儲器。存儲器陣列被邏輯組織為16,384×8位，使用工業標準的串行外設接口（SPI）總線可以訪問它。FRAM和串行閃存以及串行EEPROM的功能操作是相同的。FM25V01A-G與串行閃存或具有相同引腳分布的EEPROM的主要區別在于FRAM具有更好的寫性能、高耐久性和低功耗。 存儲器架構 當訪問FM25V01A-G時，用戶尋址16K地址的每8個數據位。這些8位數據被連續移入或移出。通過使用SPI協議可以訪問這些地址，該協議包含一個芯片選擇（用于支持總線上的多個器件）、一個操作碼和一個兩字節地址。該地址范圍的高2位都是‘無需關注’的值。14位的完整地址獨立指定每個字節的地址。 FM25V01A-G的大多數功能可以由SPI接口控制，或者通過板上電路自動處理。存儲器的訪問時間幾乎為零，該時間小于串行協議所需要的時間。因此該存儲器以SPI總線的速度進行讀/寫操作。與串行閃存或EEPROM不同的是，不需要輪詢器件的就緒條件，這是因為寫操作是以總線速度進行的。新的總線數據操作移入器件前需要完成寫操作。 賽普拉斯鐵電RAM(FRAM)存儲器，通過將超低功耗操作與高速接口、即時非易失性和無限讀/寫相結合，提供業界功耗最低的關鍵任務非易失性存儲器循環耐力。這使得FRAM成為便攜式醫療、可穿戴、物聯網傳感器、工業和汽車應用的理想數據記錄存儲器。 |
