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讓氮化鎵不再神秘，泰克攜手英諾賽科一起加速未來科技 近年來一直發力第三代半導體測試解決方案的泰克科技，最近攜手英諾賽科一起致力于開發氮化鎵的應用未來。未來，雙方將攜手克服氮化鎵更快開關速度、更高開關頻率等等一系列挑戰，讓未來更多優異的氮化鎵產品進入更多應用領域，一起為未來科技充電。 當前整個電源產業正發生著深刻的變革，以SiC（碳化硅）、GaN（氮化鎵）為代表的寬禁帶半導體技術已經在眾多行業中得到了廣泛的應用，也給電源的開發測試工作帶來了眾多的挑戰。氮化鎵器件柵極電荷和寄生電容小，可實現更快的開關速度和更高的開關頻率，同時這也帶來了測試的挑戰。一方面開通關斷速度更快，需要測試到ps級的開關速度，這需要示波器有更高的帶寬和共模抑制比；另一方面氮化鎵自身的寄生參數非常小，測試探頭的連接以及探頭電容引入的干擾會導致測量的波形不準確甚至損壞器件，特別是橋式驅動上管測試中，經常遇到驅動信號的準確測試問題。因此高帶寬，高共模抑制比，引入寄生參數小是測量氮化鎵器件時需要注意的。 近年來，泰克科技始終密切跟蹤最新技術的進展，通過和業內領軍企業的密切合作來開發針對性的測試方案。基于其性能一枝獨秀的光隔離探頭以及示波器等產品，泰克為廣大電源工程師們提供了卓越的完整測試解決方案。 成立于2015年的英諾賽科，是一家專注于硅基氮化鎵研發與制造的IDM企業，率先建立起了全球首條8英寸硅基氮化鎵量產線，主要生產30V-150V的低壓氮化鎵、650V及以上的高壓氮化鎵，應用于5G基站、工業互聯網、數據中心、自動駕駛、5G通訊、快充等領域，在全球氮化鎵功率廠商出貨量排行榜中名列前三。 英諾賽科通過自主研發，攻克了8英寸硅晶圓襯底上外延生長氮化鎵單晶材料的世界級難題，首次實現8英寸硅基氮化鎵外延與芯片的大規模量產，同時填補了國內在該領域的空白。氮化鎵作為第三代半導體材料，具有寬禁帶、高擊穿場強、高電子遷移率、高電子飽和漂移速度等特點。這些特點使得氮化鎵功率器件柵極電荷和輸出電容更小，無反向恢復，單位面積的導通電阻更小等特性。由此可以實現應用系統的高頻率、高效率和高功率密度。 憑借優異的物理特性，氮化鎵給產業應用帶來巨大的系統優勢，應用前景非常廣闊。隨著規模化生產技術成熟，氮化鎵將成為未來功率半導體的主流，在消費電子、數據中心、5G基站、新能源車等多個領域，氮化鎵需求將迎來爆發式增長。這些應用領域也是泰克近年的業務側重方向。未來，泰克科技和英諾賽科雙方將共同致力于第三代半導體硅基氮化鎵芯片的研發與測試，攜手克服氮化鎵一系列挑戰，用創新和科學改變未來。 |
