LCMXO2-2000HC-4BG256C 規格參數 PSMN4R8-100BSE（功率MOSFET）

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LCMXO2-2000HC-4BG256C 規格參數 PSMN4R8-100BSE（功率MOSFET）


型號：LCMXO2-2000HC-4BG256C
類型：FPGA現場可編程邏輯器件
LAB/CLB 數：264
邏輯元件/單元數：2112
總 RAM 位數：75776
I/O 數：206
電壓 - 供電：2.375V ~ 3.465V
安裝類型：表面貼裝型
工作溫度：0°C ~ 85°C（TJ）
封裝/外殼：256-LFBGA
供應商器件封裝：256-CABGA（14x14）


型號：PSMN4R8-100BSE
類型：晶體管 - FET，MOSFET - 單個
說明：表面貼裝型 N 通道 100 V 120A（Tj） 405W（Tc） D2PAK
FET 類型：N 通道
技術：MOSFET（金屬氧化物）
漏源電壓（Vdss）：100 V
25°C 時電流 - 連續漏極 (Id)：120A（Tj）
驅動電壓（最大 Rds On，最小 Rds On）：10V
不同 Id、Vgs 時導通電阻（最大值）：4.8 毫歐 @ 25A，10V
不同 Id 時 Vgs(th)（最大值）：4V @ 1mA
不同 Vgs 時柵極電荷 (Qg)（最大值）：278 nC @ 10 V
Vgs（最大值）：±20V
不同 Vds 時輸入電容 (Ciss)（最大值）：14400 pF @ 50 V
功率耗散（最大值）：405W（Tc）
工作溫度：-55°C ~ 175°C（TJ）
安裝類型：表面貼裝型
供應商器件封裝：D2PAK
封裝/外殼：TO-263-3，D2Pak（2 引線 + 接片），TO-263AB


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