LN2312LT1G 20V N-CH 增強(qiáng)型 MOSFET SOT23

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20V N-CH 增強(qiáng)型 MOSFET 場(chǎng)效應(yīng)晶體管
型號(hào)：LN2312LT1G
漏源極電阻：0.041 Ω
閾值電壓：0.4 V
漏源極電壓(Vds)：20 V
連續(xù)漏極電流(Ids)：4.9A
封裝：SOT-23


特征
先進(jìn)的溝槽工藝技術(shù)
用于超低導(dǎo)通電阻的高密度電池設(shè)計(jì)
S- 汽車(chē)和其他需要的應(yīng)用的前綴
獨(dú)特的現(xiàn)場(chǎng)和控制變更要求；AEC-Q101
合格且具備 PPAP 能力
V DS = 20V
R DS（ON），Vgs @ 4.5V，Ids @ 5.0A =41mΩ
R DS（ON），Vgs @ 2.5V，Ids @ 4.5A = 47m

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