電力電子與新能源越來越歡迎SiC MOSFET（國產碳化硅MOS管）技術
碳化硅(SiC)MOS管 應用設計.pdf
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| 碳化硅MOS 前景怎么樣？ |
| SIC 寬帶隙、高臨界擊穿電場、高熱導率、高載流子飽和漂移速度等特點 |
碳化硅MOS已經在3.3KW、6.6KW、11KW、22KW等規格的OBC的PFC和LLC大批量使用。 |
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| 第三代半導體SiC ，OBC、光伏儲能 大量采用 |
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第三代半導體SIC寬帶隙、高臨界擊穿電場、高熱導率、高載流子飽和漂移速度等特點 |
| 第三代半導體SiC MOS管 ，OBC、光伏儲能 大量采用 |
| 效率得到提升，節省空間、重量減輕，零件數量減少，系統可靠性增強。 |
| 碳化硅MOS耐壓650V-3300V和SiC模塊產品簡介https://pan.baidu.com/s/1EYxb29Lv-hLx9gt2K3Wuiw 提取碼x913 |
| 效率得到提升，節省空間、重量減輕，零件數量減少 |
| SiC MOSFET碳化硅半導體柵極驅動以及SiC柵極驅動器示例 - 電子工程網 http://www.qingdxww.cn/thread-838162-1-1.html |
