碳化硅(SiC)全碳SiC模塊特性:
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DCS12模塊特點(diǎn) 1. 采用單面水冷+模封工藝,最高工作結(jié)溫175℃; 2. 功率密度高,適用高溫、高頻應(yīng)用,超低損耗; 3. 集成NTC溫度傳感器,易于系統(tǒng)集成。 |
集成NTC溫度傳感器,易于系統(tǒng)集成 |
采用單面水冷+模封工藝,最高工作結(jié)溫175℃; |
碳化硅(SiC)現(xiàn)在作為一種成熟的技術(shù),在從瓦特到兆瓦功率范圍的很多應(yīng)用中改變了電力行業(yè),覆蓋工業(yè)、能源和汽車等眾多領(lǐng)域。 |
DCS12模塊 很好,電控用的多 |
碳化硅MOS耐壓650V-1200V-1700V-3300V 國(guó)產(chǎn)https://pan.baidu.com/s/1CDHqtHi3UZ0gTD4qqppY0A提取pvgr |
DCS12模塊和丹弗斯 PTOp |
液冷的 塑膠模塊,電控的好搭檔 |
液冷的 塑膠模塊 |
全碳SIC模塊 大全 |
實(shí)現(xiàn)更高的功率密度,可靠性和效率。 |
碳化硅MOS(SiC MOSFET)特性 - http://www.qingdxww.cn/thread-841262-1-1.html |
全碳SIC模塊 |
DCS12模塊特點(diǎn)1.采用單面水冷+模封工藝,最高工作結(jié)溫175℃; 2. 功率密度高,適用高溫、高頻應(yīng)用,超低損耗; 3. 集成NTC溫度傳感器,易于系統(tǒng)集成。 |
SiC MOSFET碳化硅半導(dǎo)體柵極驅(qū)動(dòng)以及SiC柵極驅(qū)動(dòng)器示例 - 模擬電子技術(shù) - 電子工程網(wǎng) http://www.qingdxww.cn/thread-838162-1-1.html |